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《电子技术与软件工程》2015,(16)
氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。 相似文献
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1 引言从2004年的信息产业部第三代移动通信网络技术试验,到目前仍在进行中的TD-SCDMA规模网络技术应用试验,三年间,已经历数次大型网络技术试验。对于每次技术试验,都会从技术现状出发,针对不同的测试目的,制定相应的测试规范。其中,无线网络性能测试是最核心的测试内容,是测试的关键环节,也是每次试验不可 相似文献