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1.
纳米AlN粉末的制备与烧结   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性.实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4~8 μm、密度为3.28 g·cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g·cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1~2μm.  相似文献   
2.
随机激光器的最新进展   总被引:5,自引:2,他引:3  
综述了近年来随机激光器的最新研究结果,包括随机激光产生的机制,随机增益介质的制备方法,随机激光器的激励与发光特性和随机激光理论。最后,介绍了随机激光器的应用前景。  相似文献   
3.
提高焊膏印刷质量的工艺改进   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨晓渝 《微电子学》2003,33(5):419-421
焊膏印刷作为SMT工艺的第一步,其质量好坏对SMT工艺有着重要影响。文章通过对焊膏成分、特性的分析,讨论了印刷中各种工艺参数的正确选择;对焊膏印刷中容易出现的质量问题进行了详细分析,指出了产生问题的原因,提出了改进措施。  相似文献   
4.
庞琦 《光机电信息》2004,(12):10-11
在加工制造业,从焊接、切割到粉末金属喷镀,对激光功率的要求正推动二氧化碳激光器机械加工系统向更高的功率水平发展。随着激光光源技术的进步,对有效利用激光功率的要求使机械加工设备支持系统得以同步发展。这些支持系统包括机械运动控制系统、高压辅助气体传递控制系统和高流速切割喷嘴技术等。  相似文献   
5.
利用机械合金化制备纳米Zr-V粉末,对制备过程的材料进行物相分析和热分析试验。初始粉末Zr(150μm)和V(150μm)元素粉末(纯度99.15%)按原子比1:2或1:1进行混合后在氩气气氛中放入SimoloyerCMol—2球磨仓中,按几种不同的试验条件进行球磨。同时在997K和1047K下热处理40min和1h,并对热处理前后的粉末进行了物相和TG-DSC实验分析。  相似文献   
6.
络合沉淀法制备BaTiO_3超细粉末   总被引:4,自引:1,他引:3  
在分析BaTiO_3前驱体形成机理的基础上,提出了以草酸作为络合剂,用络合沉淀法制备超细BaTiO_3新工艺。用化学分析法测定产物Ba/Ti比,用XRD、TEM、BI-90激光散射粒度仪对产物的晶型、粒度及形貌进行表征。结果表明:采用该法合成的前驱体,微观组分确定,粒径小,粒度分布窄,近似球形,煅烧后为高纯超细BaTiO_3粉末。  相似文献   
7.
简介了静电粉末喷涂的基本原理,叙述了粉末涂料的选择、设备的选型、喷涂前处理,列举了影响喷涂质量的各种因素,指出了施工注意事项。  相似文献   
8.
第一讲中子散射与散裂中子源   总被引:1,自引:0,他引:1  
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.  相似文献   
9.
实验研究了Bi-2212粉末在空气,8%O2和纯O2种处理的相组成特征,指出通过改变热处理温度和气氛可控制前驱粉中对2223成相影响较大的(Bi,Pb)-2212相,Ca2PbO4相,2201相和14:24AEC等相。  相似文献   
10.
QIC-160等静压机自动控制系统的设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
QIC-160等静压机是20世纪80年代初引进的国外成套大型设备,主要用于粉末成型产品的压制。设备最高工作压力达200MPa,温度可达120℃。设备从引进到现在已经20多年了,电器元件也已老化,鉴于该设备现在液压系统及主体运行还基本正常,故对原设备控制系统进行了设计更新。  相似文献   
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