Compton散射下等离子体球太赫兹散射特性

为了研究Compton散射对等离子体球太赫兹(THz)散射特性的影响,将多光子非线性Compton散射模型引入到该研究中,提出了将Compton散射作为影响等离子体球太赫兹散射的重要因素,给出了各向异性等离子体球散射场修正方程及介电常数张量、观测方位、极化状态等因素对THz波散射的影响,并进行了仿真实验。结果表明:微分散射截面随THz波频率变化近乎呈准谐振规律变化,较散射前增大了0.001;微分散射截面随观测方位和极化状态的变化较散射前增大了0.002。     

等离子体刻蚀工艺控制模型分析

讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.     

复合流场上吸罩流场理论分析

提出在计算复合流场内存在两种不同流态的流动:势流和紊流。针对两种流动,分别建立了其数学模型,对于紊流流场,针对标准k-ε紊流模型的缺陷,采用了RNGk-ε紊流模型使紊流控制方程封闭。以及提出了边界条件的确定原则。为复合流场的数值计算提供了理论指导。     

PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。     

30.4 nm光电成像系统分辨率的初步实验研究

本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统，用于对波长为30．4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像．结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像，实验测得490μm的成像系统的空间分辨率，并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施．     

RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

本文综合评述了用射频率等体化学气相沉积法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。     

应用粒子动态分析仪研究水力旋流器流场

利用粒子动态分析仪(PDA),对水力旋流器内固相颗粒流场做了全面的测定,得出水力旋流器内固相颗粒的流态、浓度及粒度分布,为进一步查清水力旋流器的工作机理提供了重要理论依据。     

超强脉冲激光在低密度等离子体中的相对论自导引效应

分析了相对论条件下激光超短脉冲在等离子体中的传输特性 ,在傍轴近似和慢变振幅近似条件下 ,推导了折射率、电子密度、静电场以及电子空腔尺度的表达式。当激光功率超过产生自导引阈值功率时 ,激光束斑沿着传输光轴方向振荡。在有质动力产生的压力非常强时 ,聚焦光束中央部分的电子被全部排开形成电子空腔。给出了电子空腔的尺寸以及在出现电子空腔时的处理方法。在超过形成电子空腔的阈值功率 (Pc≈ 2 .5TW )时 ,空腔的尺度几乎与激光功率无关 ,这意味着电子空腔阻止了激光脉冲的进一步聚焦。