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2.
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率 总被引:1,自引:0,他引:1
《电子设计工程》2015,(2):159
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的 相似文献
3.
5.
《电子技术与软件工程》2015,(16)
本文阐述了一种基于RRPP技术的环网拓扑传输系统及传输方法,主要适用于以太网的环网保护应用。该传输方法为:所述环网拓扑的结构包括一个汇聚节点和所述汇聚节点下带的多个环网,所述汇聚节点由若干台汇聚设备构成,所述传输方法通过IFR2(第二代智能弹性架构技术)将所述若干台汇聚设备虚拟化为一个设备,即虚拟化设备。在不降低双汇聚设备可靠性的前提下,简化了网络架构,确保了业务的快速倒换,提高了网络的可靠性。 相似文献
7.
8.
ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
9.
日本建造新的X射线自由电子激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
《激光与光电子学进展》编辑部 《激光与光电子学进展》2006,43(3):75-76
一个以日本理化学研究所为主要依托的研究组,日前在兵库县的播磨科学公园成功试制出第四代同步辐射光源——X射线自由电子激光器的小型样机。该样机全长60m。而实际要建的X射线自由电子激光器总长为800m,计划在2006年开始建造,预计10年内完成,总投资375亿日元。日本媒体评论说,这台激光器建成后将和日本性能领先的“Spring-8”光源并列,成为日本探索微观世界的“科学之眼”。 相似文献