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通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
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介绍了一台10mm口径两级双程离轴放大系统,实现了对5mm×5mm口径光束的激光放大,耦合系统采用高功率LDA紧密侧面直接抽运棒状Nd:YLF方式。分析并实验研究了在不同抽运电流、放大脉冲与放大器LDA抽运时刻的不同延时及不同注入能量条件下,放大系统及光束每次放大时放大特性的规律。实验得到:在放大系统5mm×5mm软光阑处注入1.58mJ能量时,放大系统可输出129.2mJ能量,能量提取效率达到19.5%,满足该系统的设计指标。 相似文献
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激光二极管端面抽运的棒状Yb:YAG激光器 总被引:5,自引:1,他引:4
分析了影响激光二极管抽运Yb:YAG激光器调Q效率的参量,推导了激光二极管端面脉冲抽运Yb:YAG晶体的速率方程,解出了双程抽运情况下的净抽运量子产率。利用数值计算方法,模拟了净抽运量子产率与晶体长度,抽运光脉冲宽度等关系,得出晶体长度的优化可以提高Yb:YAG激光器输出效率。计算了词Q Yb:YAG激光器的最大增益、最大储能,分析了放大自发辐射对于Yb:YAG能量存储的影响。同时给出了激光二极管端面抽运调Q Yb:YAG优化设计方法。这些分析和计算为实际器件的研制提供参考。 相似文献
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