8英寸立式扩散/氧化炉的研制

本文简要介绍了适用于8英寸硅片、能够进行扩散、氧化、退火、合金等工艺的立式扩散氧化炉的研制目的、技术路线、关键部件及技术难点.重点介绍了加热炉体及其温度控制、储片台、颗粒控制及设备含氧量的设计及控制.     

炉管制程工艺中的片数效应及其优化方案

随着半导体技术的发展,越来越多的立式炉管在200mm及300mm集成电路晶圆制造中被应用到。同时炉管制程中的片数效应随着集成电路芯片的集成度越来越高而被凸显出来。文章将以LPCVD氮化硅在0.16μm、64M堆叠式内存制造过程中的片数效应为例,阐述炉管制程工艺中的片数效应以及通过调整制程参数（温度、沉积时间）的方式予以解决的实例。文中通过调整炉管上中下的温度来补偿气体的分布不均匀,调整沉积时间来补偿不同片数的沉积速率的差异,两者结合并辅以基于片数的分片程式来解氮化硅电介质沉积的片数效应。同时以此为基础总结出炉管片数效应的解决方案。     

国内外金属化炉概述

主要介绍了国内外用于金属化工艺的两种高温氢气炉，炉子的主要组成、自动控制及安全方面的设计思路。     

300mm立式炉温度控制系统研制

针对300mm立式炉设备,设计、实现了一套温度控制硬件系统。硬件系统由信号采集模块、PLC模块、工控机、控制信号输出模块等组成。同时,根据工艺特性,设计了一套完整的温度控制软件系统,实现了热偶信号的采集补偿、自动温区分布、PID参数自整定、轨迹规划、斜变升温、工艺恒温等一系列系统功能。温度控制及工艺实验结果表明,该温度控制系统在可靠性、稳定性、精度等方面能够满足氧化工艺的需求,现已成功应用于300mm立式氧化炉设备。     

适用于Φ200mm硅片工艺的立式扩散/氧化炉设计

简要介绍适用于200mm硅片工艺的立式扩散?氧化炉的几个关键部分的设计要点和控制方法,重点对炉温和颗粒控制方面进行较详细的论述。     

一种热壁LPTEOS设备自动供液系统

介绍了一种自主开发的自动供液系统。该系统适用于多台SVG7000热壁LPTEOS立式炉。详细介绍了系统的结构、原理及动作流程等。与传统的自动供液系统相比,该系统增加了多回路控制,优化了自动供液的时间,可同时控制多台设备,并保持每次运行程序前设备液态源液位一致。对使用该系统前后设备运行的数据进行对比,发现该自动供液系统将立式炉的稳定性提升了10%以上。     

大型无氧铜氢气保护焊接设备的研究

对氢气保护钎焊炉的结构及功能进行了大量的改进,研究了无氧铜大型构件在氢气炉中的焊接工艺。介绍了设备的结构特点、电控特点及达到的技术指标。设备的研究提升了大型无氧铜构件的一次性焊接成型的稳定性及工艺性,达到了工艺要求的效果。     

基于Modbus协议的立式炉电力监测系统

针对300 mm立式炉设备电力安全性、可靠性的需要,设计、实现了一套立式炉电力监测系统。基于Modbus协议,该系统实现上位机实时获取并保存立式炉设备上各段温区的电力数据。保存的电力数据不仅可用于设备的故障诊断,还可用于分析炉体加热器在各温度点上的电学特性。该系统已应用于实际的立式炉设备电力监测。实际效果表明,该系统具有运行可靠、扩展性好、使用方便的特点。     

300mm立式炉恒温区测量系统的设计与实现

针对300 mm立式炉设备恒温区测量的需求,设计并实现了一套恒温区测量的软硬件系统。硬件系统由电机、电机驱动器、PLC模块、工控机、热电偶等组成。同时为了更加灵活方便的操作恒温区测量装置,设计了一套完整的控制软件系统,实现热电偶的3种运动控制模式,显示热电偶当前的状态——运动速度、位置、温度,保存温度、位置等数据。恒温区测量实验表明,该系统能满足立式炉设备恒温区测量功能的需求,现已成功应用于300 mm立式氧化炉设备。