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MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,能明显改变消费者使用电子设备的方式。 相似文献
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在离子波纹摆动器中,改变电子束的入射方向,保证了离子波纹场的纵向分量为零,从而消除了纵向电场对离子波纹激光的不利影响。给出了束电子的运动轨迹,运用Madey定理计算了小振幅条件下该离子波纹激光的小信号增益。 相似文献
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Jim Harrison 《今日电子》2006,(2):30-30
越来越多的客户开始寻找提高运输中能源使用效率的替代方法,Energy Propulsion System(Asbestos,Quebec,加拿大)另辟蹊径,推出了一种创新的电动自行车驱动系统。 相似文献
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双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析 总被引:1,自引:0,他引:1
由速率方程推出了双掺(Tm^3 ,Tb^3 )离子准四能级系统的激光阈值解析式,讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明,对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光,激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时,交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入,一方面能抽空激光下能级,起到降低阈值的作用;另一方面亦减少了激光上能级的寿命,使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体,Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右,同时表明,激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。 相似文献
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真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明,李志能,陈秀峰(浙江大学信息与电子工程学系)关键词:真空微电子,反应离子刻蚀一、引言近十年来,随着真空微电子学的崛起,利用微细加工技术,使真空元器件集成化和高性能化已成为可能,一种新型场致发射阵列真空荧光平... 相似文献
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