降低正交频分复用信号峰均功率比的方法

正交频分复用（OFDM）的一个主要缺点是有很高的峰均功率比，现在已有许多解决方案用来降低OFDM信号的峰均功率比。着重对一些降低OFDM信号峰均功率比的方法进行描述，并分析每一种方法的优缺点及其应用前景。     

硅衬底上共面线的特性及应用

基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,并给出了放大器芯片和共面线的测试结果.测试结果表明:在深亚微米CMOS高速集成电路中,用共面线实现电感是一种行之有效的方法.     

5Gb/s 0.25μm CMOS限幅放大器

采用TSMC 0.25μm CMOS技术设计实现了高速低功耗光纤通信用限幅放大器.该放大器采用有源电感负载技术和放大器直接耦合技术以提高增益,拓展带宽,降低功耗并保持了良好的噪声性能.电路采用3.3V单电源供电,电路增益可达50dB,输入动态范围小于5mVpp,最高工作速率可达7Gb/s,均方根抖动小于0.03UI.此外核心电路功耗小于40mW,芯片面积仅为0.70mm×0.70mm.可满足2.5,3.125和5Gb/s三个速率级的光纤通信系统的要求.     

CDMA系统中硬切换技术的研究

本文主要介绍了CDMA系统中硬切换发生的条件、功能以及实现策略,并且对于不同类型的硬切换给出了成功实现流程和异常处理方法。     

一种高效的硬布线控制CPU的设计方法

文章提出了一种硬布线逻辑CPU的设计流程，即以CPU设计工具软件LDF为核心的设计方法，其主要目的的提高硬布线逻辑CPU的设计效率。定义了一种用于描述硬布线控制逻辑的语言-MCDL，对总线优化问题进行了研究，并且给出了解决总线优化问题的近似算法。     

纳米复合超硬薄膜中与界面有关的弛豫现象

利用内耗技术研究了TiSiN系列纳米复合超硬薄膜的结构弛豫和硬化机理.当共振频率大约在100 Hz时在230～280 ℃范围内观察到一个弛豫型的内耗峰.计算出激活能为0.7～1.0 eV,弛豫时间指数前因子为10-10～10-12秒.对比一系列样品,发现硬度越高内耗峰越低,在硬度高于50 GPa的薄膜中没有内耗峰.内耗峰随退火温度升高而不断降低,直至600～750 ℃退火时消失, 并且杨氏模量开始增加,这跟样品退火后硬度增长是一致的.结果表明内耗峰来源于样品中界面的弛豫过程.     

有界变量线性规划的基线算法

本文对有界变量线性规划的算法进行了研究，得到了一种解此问题的新算法。文中根据基线算法的算法原理，通过对BL表的旋转，在各变量满足界约束的条件下，使目标函数值不断增大，直至得到有界硬上界，从而得到问题的最优解。文中给出了有界变量线性规划基线算法的计算步骤，并给出了一个例子。与单纯形法相比，采用基线算法解有界变量线性规划操作更简单。迭代次数少，解题速度更快。     

一种攻丝丝锥的改进设计及试验

本文叙述了普通标准丝锥攻丝高韧性金属材料的困难性和存在的问题,针对该种金属材料的机加工特性,对丝锥材料的选择及其结构形式进行了改进设计和试验,并提出了攻丝加工的工艺参数和相应措施.     

CDMA系统硬切换机制研究与实现

在CDMA系统中,除了其特有的软切换外,硬切换也是必需的,本文介绍硬切换的概念,异频及同频间硬切换的各种类型,指出硬切换实现的几个关键问题并给出解决方案。