煤直接液化油中混合酚的分离研究

利用分子筛择形特点，对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物，采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变，分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响，以获得高性能固相吸附剂，并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明，当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时，分子筛的孔口结构调节效果最优；当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时，固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g，对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化，导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5（1）吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现，苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

单片LCoS光学引擎中彩色LED照明系统设计

LCoS光学引擎作为整个背投的一个要组成部分，其照明系统显著地影响着LCoS背投的性能。详细分析了影响照明效果的各个因素，并利用ZEMAX软件设计出了单片LCoS光学引擎中基于彩色LED光源的照明系统，该系统能达到较好的亮度和均匀性，满足整个光机系统的成像要求。     

互联网有一条长长的尾巴

两周前，我想给我的手机买个硅胶套。花了两天时间，跑遍了重庆市的IT卖场，竞没有找到一款合适的。一气之下决定在网上购买。从开始找卖家到下单，只花了一个小时，隔了一天，快递就为我们手机送来了新衣服。仔细算了一下，我四处寻找硅胶套那两天，劳累不说，花的车费钱，就比快递费多得多。     

妥帖呵护与众不同--屏幕贴与硅胶套

现在手机的“面子”越来越大，屏幕被硬物划伤的可能性也随着增大。尤其是一些触摸屏手机，就算不发生意外，每天的手写、触控也会让屏幕上积累出诸多划痕。于是，手机屏幕贴开始流行起来，小小一张贴纸，就能最大限度地保护手机屏幕不受损伤。对那些大屏幕、触控操作的PDA手机来说，还能凭借完好无损的屏幕在以后出手时卖个好价钱！ 硅胶套则是随着iPod的流行而兴起的一种保护用具，强调时尚的用户能更喜欢花样百出的手机皮套，布套。硅胶套则是另一个极端——所有的硅胶套都是半透明的，没有什么花样，但这是手机的另一个外壳，一旦套上就无须取下，也基本上不会对正常使用造成不利影响。 硅胶套与屏幕贴，内外相济，为手机提供最妥帖的呵护。希望自己的手机用上一年半载之后还完整如新吗？那就快去选择合适的屏幕贴与硅胶套吧！[编者按]     

硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析

基于参数化的计算机辅助设计（CAD）软件，对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模，以有限元分析软件为工具，进行了谐振器的模态分析，静态分析和谐响应分析，初步揭示了谐振器的静、动态特性，有助于改善设计效率和质量，展示了计算机辅助工程（CAE）技术在微机电系统（MEMS）研究中的重要作用。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.