全文获取类型
收费全文 | 11882篇 |
免费 | 1875篇 |
国内免费 | 7593篇 |
专业分类
化学 | 11351篇 |
晶体学 | 309篇 |
力学 | 191篇 |
综合类 | 239篇 |
数学 | 22篇 |
物理学 | 2822篇 |
无线电 | 6416篇 |
出版年
2024年 | 93篇 |
2023年 | 352篇 |
2022年 | 449篇 |
2021年 | 481篇 |
2020年 | 418篇 |
2019年 | 438篇 |
2018年 | 295篇 |
2017年 | 432篇 |
2016年 | 465篇 |
2015年 | 543篇 |
2014年 | 884篇 |
2013年 | 780篇 |
2012年 | 793篇 |
2011年 | 789篇 |
2010年 | 774篇 |
2009年 | 825篇 |
2008年 | 908篇 |
2007年 | 877篇 |
2006年 | 900篇 |
2005年 | 852篇 |
2004年 | 817篇 |
2003年 | 908篇 |
2002年 | 749篇 |
2001年 | 728篇 |
2000年 | 601篇 |
1999年 | 556篇 |
1998年 | 562篇 |
1997年 | 526篇 |
1996年 | 528篇 |
1995年 | 586篇 |
1994年 | 511篇 |
1993年 | 405篇 |
1992年 | 352篇 |
1991年 | 330篇 |
1990年 | 303篇 |
1989年 | 319篇 |
1988年 | 84篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 29篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 18篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 5篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 2篇 |
1973年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
煤直接液化油中混合酚的分离研究 《燃料化学学报》2019,47(11):1298-1304
利用分子筛择形特点,对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物,采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变,分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响,以获得高性能固相吸附剂,并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明,当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时,分子筛的孔口结构调节效果最优;当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时,固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g,对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化,导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5(1)吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现,苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。 相似文献
3.
四氧化钌作为用透射电镜观察高分子材料时对聚合物多相体系进行选择性染色的染色剂之一,克服了四氧化锇染色的局限性,能对多种聚合物进行染色。四氧化钉对大多数聚合物都能染色,但人们至今对其染色的反应机理还不十分清楚,而关于此方面的报道也较少。前人曾就四氧化钉对聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚碳酸酯(PC)的染色机理进行过研究,本文探讨了四氧化钌对尼龙6的染色机理。 相似文献
4.
5.
6.
7.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
8.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
9.