工业4.0前景下的智慧城市建设需要民营资本的深度参与

随着3D打印和石墨烯这类高科技产品应用面越来越广,关于工业4.0时代的讨论也越来越喧嚣尘上。工业4.0的核心概念是生产智能化和产业链网络化,这与中国正在如火如荼进行着的智慧城市建设构成了互为因果,彼此促进的关系。国内众多企业纷纷转型涉猎其中,各个投资大佬准备出手分享盛宴。在这种大的时代背景下,民间资本在未来产业变革中应当如何定位?如何转型,如何发挥他们对产业的促进作用实现政府、消费者和投资者的共赢?带着这些问题,本刊记者采访了三荣集团总裁陈华耀先生。     

线性调频信号检测方法的研究

在线性调频信号体制雷达的数字脉冲压缩系统中对数字脉压后的脉冲串进行DFT相参处理时，若采样时刻偏离脉压回波的峰值时刻，不同的采样频率使得DFT相参积累后的信噪比会有不同程度的损失。本文详细分析了采样频率分别为20MHz和10MHz时对信号相参积累的影响，并对幅值检测和M／N检测两种检测方法的检测性能进行了比较，仿真结果表明，M／N检测优于幅值检测。     

技术创新知识产权和CDMA价值链

很高兴有这个机会在这里跟大家分享高通公司在技术创新、知识产权以及CDMA价值链中的定位和所起的作用。下面介绍高通公司技术创新的意义、产业化的过程、知识产权保护的重要性、不断发展的价值链以及高通公司在3GCDMA中的定位和大家最感兴趣的案例分析。     

采用同心旋转调制盘的红外检测系统

介绍了采用同心旋转调制盘和相应的逻辑门积分计数的积累检测技术的基本原理，并给出采用同心旋转调制盘的红外检测系统的基本结构，介绍了同心旋转调制盘系统的设计方法，通过对实验结果进行分析，表明同心旋转调制盘技术在红外检测系统应用中可以大大地改善系统的性能，提高了探测概率，降低了虚警概率。同时分析了该系统存在的问题，为红外检测技术的进一步发展提供一些经验。     

典雅之声——JBL Radial

iPod在市场上的空前成功也带动了一大批外设制造商，诸多围绕iPod打造的外设产品各具特色，让人目不暇接，这当中就不乏JBL这样的大牌厂商。在扬声系统方面长期的技术和经验积累让JBL在产品方面能够游刃有余，一出手就足以震撼市场。     

DISTRIBUTION OF THE（0，∞）ACCUMULATIVE LINES OF MEROMORPHIC FUNCTIONS

Suppose that f(z)is a meromorphic function of order λ（0<λ<+∞）and of lower order μ in the plane.Let ρ be a positive number such that μ≤ρ≤λ.(1)If f^(l)(z)(0≤l<+∞）has p(1≤p<+∞）finite nonzero deficient valnes αi(i=1,…，p)with deficiencies δ（αi,f^(l)),then f(z)has a (0,∞）accumulative line of order ≥ρin any angular domain whose vertex is at the origin and whose magnitude is larger than max(π/ρ，2π-4/ρ ∑i=1^p arcsin √δ（αi,f^(l))/2).(2)If f(z) has only p(0<p<+∞）（0,∞）,accumulative lines of order≥ρ：arg z=θk(0≤θ1<θ2<…<θp<2π，θp+1=θ1+2π）,then λ≤π/ω，where ω=min I≤k≤p(θk+1-θk),provided that f^(l)(z)(0≤l<+∞）has a finite nonzero deficient value.     

饮食中微量元素砷的分布规律与人体健康关系

采用催化动力学光度法测定了六大类(共三十种)样品中的总砷含量，探讨了砷在食品中的分布规律，建立了砷在人体中的安全系效和积累系效的效学评价公式，用于评价砷与人体健康的关系，这对人们选择食物有一定的指导意义。     

科学视野下的地壳运动

地震运动成因 地震,是大地的振动,它由地壳水平或垂真方向上的产生的剧烈运动所引起.引发地震,需要两个基本元素:一是地壳的运动,二是局部区域的地壳具有较强的刚性,阻碍地壳的运动,使应变能得以积累.     

化工工人体内微量元素积累与健康的关系

论述了化工作业工人长期接触有害元素会引起体内有害元素积蓄，微量元素平衡失调，产生潜在的职业危害，建议定期对临床尚未发现中毒现象的作业工人进行体内微量元素情况监控，以预防职业中毒。并提出采用适当补充某些必需元素的方法，可预防这种危害。     

双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析段宝兴

在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上,提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构.双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为零限制的3倍关系,埋氧层的电场可以高达200V/μm;而且双面阶梯对表面电场的调制作用使其表面电场达到近乎理想的均匀分布.借助二维MEDICI数值分析软件,验证了此结构具有同时优化横向SOI基高压器件横、纵向电场,提高击穿电压的优点.