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1.
2.
以1,4-二溴-2,5-二甲基苯和4-吡啶硼酸为原料,经两步合成了一种新颖的含吡啶基团的二羧酸配体。通过核磁共振氢谱及傅里叶变换红外光谱对配体结构进行表征,通过热重分析对配体的热稳定性进行了测试;通过溶剂热法对配体的单晶进行培养,并考察反应温度、时间、pH和溶剂等条件对单晶培养的影响。结果表明:在反应温度为80 ℃,反应时间为12 h、溶剂为蒸馏水、溶液pH=5的条件下可获得高质量单晶。该配体为单斜晶系,属于C2/c空间群,结构中含有4个氧原子和2个氮原子,可为金属离子的配位提供足够的位点,有望应用于配合物的设计或催化、吸附和医药载体等行业。 相似文献
3.
《现代表面贴装资讯》2006,5(3):85-86
Beamworks,Inc.Aqueous Technologies Corporation自动清洗箱,检查设备-ERSA GmbH,返修与维修-Beamworks,Inc,Vitronics-Soltek:回熔焊炉, 相似文献
4.
通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
5.
7.
研究了影响LEC生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布,热对流,坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对LEC法生长的GaAs单晶锭子长度都有影响。 相似文献
8.
基于多传感器数据融合方法的火灾模拟实验炉温度采集系统 总被引:6,自引:1,他引:5
基于多传感器算术平均值与分批估计的数据融合方法在火灾模拟实验炉上温度数据采集中的应用,用VB6.0开发了相应的实际应用系统。 相似文献
9.
关新民 《新疆大学学报(理工版)》2002,19(1):95-99
介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊--PD控制器,讨论了在SIMULINK环境下模糊-PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法,并给出仿真结果与结论。 相似文献
10.
用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响. 相似文献