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电磁灶厚膜集成功率模块在设计上采用高频、高反压、大电流芯片及带有阻尼二极管的两级放大达林顿电路结构。这样,既可实现大电流超高压和低饱和压降,又能保证在大电流下工作而不超出模块内部各组成元件的额定范围。因此具有大功率、低饱和压降、工作温升小和可靠性高等特点。具有代表性的是日本SANSHA公司的SQD35JA160、SQD50AB100和日本三菱电机公司的QM50HC、QM30HC等。其主要性能为P_cM≥300W,I_b≥2A,I_cM≥30A,BVceo、BVcbo≥1600V,HFE≥40,Vbes<3V,Vces<2.3V,tf<3μs。目前国内一些晶体管厂家也试制成功数种功率集成模块。如江南无线电器材厂的 相似文献
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IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,中文名称为“绝缘栅双极型功率管”,是由“双极型”三极管和绝缘栅型场效应管两者复合而成的全控制型电压驱动式电力电子器件。 相似文献
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