Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

抑弧层结构对高压熔断器熔断效果的影响

将不同结构的抑弧层使用在相同熔断器基片上,研究了不同结构对熔断器高压电弧猝灭效果的影响。结果表明:熔断器动作时高压电弧的猝灭与抑弧层结构密切相关,多孔的抑弧层结构更有利于电弧的及时猝灭,对抑弧层中孔洞结构进行优化后熔断器电弧猝灭时间能够缩短至3 ms以内,电弧猝灭后的绝缘电阻大于500 M?,能达到较好的切断电流的目的。     

基于RRPP技术的以太网组网应用

本文阐述了一种基于RRPP技术的环网拓扑传输系统及传输方法,主要适用于以太网的环网保护应用。该传输方法为:所述环网拓扑的结构包括一个汇聚节点和所述汇聚节点下带的多个环网,所述汇聚节点由若干台汇聚设备构成,所述传输方法通过IFR2(第二代智能弹性架构技术)将所述若干台汇聚设备虚拟化为一个设备,即虚拟化设备。在不降低双汇聚设备可靠性的前提下,简化了网络架构,确保了业务的快速倒换,提高了网络的可靠性。     

欧博 HIFI组合音响系统

马兰士的这款SA7001是2声道超级音频播放器，可播放SACD、DVD、CD—R、CD—RW碟片。它采用了专为音频播放设计的机械模块，主电路板上采用HDAM的电流反馈型音频电路，采用Cirrus Logic公司生产的高性能D／A转换器CS4397，数字、模拟、显示均采用了专用线圈电源变压器，具有RC5系统连接功能。     

浪漫雪世界——雪景拍摄的技巧

冬天就快到了，你可能跟我一样，期待着大雪的光临．洁白的雪是可以很美丽迷人的．作为拍摄爱好者的我们，当然不能错过机会了。但是，要拍好雪景，有些技巧还是要注意的。     

1／8砖包装DC/DC转换器

OB2252是昂宝电子推出的又一款高度集成的电流模式PWM（脉宽调制）AC／DC控制IC。它为10W以下小功率电源适配器以及充电器产品量身定制，具有高度的可靠性，优良的性能。采用了Burst及Extended Burst技术使电源模块在空载及轻载时的待机功耗小于0．2W，满足能源之星和蓝天使标准；OB2252集成了完善的保护功能（OCP，OVP，输出箝位保护等等），使采用OB2252的小功率电源系统不附加额外系统成本的情况下，能够很轻易达到很高的安全性和可靠度。昂宝电子采用OB2252设计的5W系统可以通过EN55022和FCC Part 15 Class B的所有EMI性能要求而无需使用X电容、Y电容以及共模电感。     

PDM1kW中波广播发射机原理分析与故障判断

PDM1kW中波广播发射机由主回路（激励器、激励前级、激励驱动、调制器、RF功率放大单元、槽路匹配箱）、继电器控制板、功率控制、功率调幅告警、微机接口板、微机控制器、电源整流器等组成。根据我们多年的维护经验知道，主回路各单元自身由于工作电压都很低（RF功率放大单元除外）一般不会出现故障，该设备的大部分故障主要出在RF功率放大单元及控制保护系统，另外即使由于激励器、激励前级、激励驱动、调制器内部或发射机外部原因造成的故障也可通过PA盒、继电器控制板、功率控制板、功率调幅告警板所反映出的现象加以分析后得到一个准确地结论。下面结合该机原理对一些常见故障现象进行分析，与大家共同探讨。     

凌力尔特公司线性稳压器

凌力尔特公司，（Linear Technology Corporation）推出新型、温度范围更宽的LT1763和LT1764A大电流、低噪声线性稳压器。新的“MP”级器件具有-55℃至＋125℃的工作温度范围，适用于航空电子设备、军事、工业、射频和电信等多种应用。LT1764A是一种3A LDO，在10Hz至100kHz带宽范围内具有40uVRMS的低输出噪声，适用于为射频电路供电。1mA的电源电流在停机模式时降至低干1uA。LT1764A可用2．7V至20V的输入电源工作，从而确保与多种输入电源兼容。输出电压在1．21V至20V之间是可调的。     

QuartusⅡ6．0工具应对高密度设计难题

Akustica公司的设计师们称：AKU2000是首款CMOS MEMS直接数字输出、单芯片传声器。该公司从卡内基梅隆大学获得了该技术的使用许可(它相信此项技术得到了全面的专利保护),使其能够采用标准CMOS工艺的金属化层来制作MEMS,以形成构成传声器的传感元件的隔膜。由于该技