半导体制造中的电子显微分析

集成电路的特征尺寸越来越小，电子显微分析在微电子制造中成为不可缺少、不可替代的重要分析手段。本文根据扫描电子显微镜（SEM）及透射电子显微镜（TEM）在实际分析中的特长和局限，主要就仪器分辨率与结果的精确度的问题，讨论如何将两种分析技术有机地结合起来，扬长避短，取得最佳效果。     

薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

用"更相减损术"求最大公因式

“更相减损术”是我国古代数学中求二整数最大公因数的方法 .古典名著《九章算术》卷一在谈到分数分子分母约去公因数有“置分母子之数 ,以少减多 ,更相减损求其等也 .以等数约之 .”这里的“等数”就是所说分母分子的最大公因数 .所谓“更相减损求其等”就是置两个整数 ,以少减多 ,反复相减 ,直到二数相等就得到它们的最大公因数 .例如 ,求 91 ,49的最大公因数(91 ,49) .我们有(91 ,49) =(91 -49,49) =(4 2 ,49)=(4 2 ,7) =…… =(7,7) =7刘徽说 :“其所以相减者 ,皆等数之重叠 .”数91 ,49都是等数 7的重叠 .对于初学者来说 ,“更相减损求…     

从像上提取非旋转对称系统的传递函数制作解卷空间滤波器

本文提出从高分辨电子显微像中,利用光学、全息和部分相干等方法,提取传递函数,制作相位和振幅滤波器,实现解卷,提高高分辨电子显微像的分辨率.     

走近纳米科技

 纳米科技于20世纪70年代兴起,进入21世纪越来越被大家耳熟。纳米科技在促进科技进步,提高社会文明程度,改善人类生存质量,更新对物质世界的认知及观念上扮演了举足轻重的角色。纳米是长度单位。一纳米为一米的十亿分之一,如果你的拇指指甲盖宽14毫米,这个比例就相当于拇指指甲盖宽度与地球直径间的比例。纳米科技所接触、研究、开发的是100纳米～0.1纳米范围内物质的性质和应用。一个分子或一个原子大小的数量级大致在10纳米。因此,纳米科技也可以说是在分子水平上观察、分析、研究物质的物理、化学性质并加以开发利用。     

复合晶体硫化物Sr1.145TiS3的高分辨电子显微术研究

与(PbS)-{1.12}VS-2,Ba-xFe-2S-4等三元金属硫化物一样[1,2],Sr-{1.145}TiS-3的晶体结构也很复杂[3].在四维超空间群的基础上使用粉末X射线数据和Rietveld分析方法确定了无公度复合晶体硫化物Sr-{1.145}TiS-3的晶体结构[4].它的基本结构是由空间群分别为R3m和P31c的TiS-3亚点阵和Sr亚点阵沿着晶体的c轴相互穿插形成的.以六角晶系来标定,其晶格常数为a-1=a-2=1.15108nm,c-1(TiS-3)=0.29909nm和c-2(Sr)=0.5226nm.用透射电子显微术研究其结构特性的报导还未见到.本文首次报导用透射电子显微术在原子尺度研究复合晶体硫化物Sr-{1.145}TiS-3晶体中Sr原子和S原子相互调制的结果.     

含水冷冻电子显微术与生物大分子三维重构—疱疹病毒壳粒三维结构测定

用含水冷冻电子显微术进行生物大分子三维重构是近来迅速发展的一门新兴学科。本文从理论和实验双方面对之作了阐述。首先对含水生物样品低剂量成像下弱相位近似假设及其对数据处理的影响进行了说明。