多用户分集与能量受限非可信中继系统遍历安全性能分析

研究了一种能量受限的非可信中继与多用户分集技术相结合的两跳链路安全网络通信模型。为提升系统安全性能，本文采用混合时间-功率分配中继(time-power splitting-based relaying, TPSR)协议,并结合机会调度策略(opportunistic scheduling strategy, OSS)从多用户分集网络中选择一个最佳目的节点作为信息接收端。基于随机选择(random selection, RS)策略，该文中利用低复杂度的高斯Q函数分析系统的安全性能以及在协作中继上进行能量采集活动不中断的条件下推导了系统的遍历安全速率(ergodic secrecy rate, ESR)的近似闭合表达式。此外，将提出的OSS与RS通信方案下性能进行对比，证明本文所提出的OSS更适用于分布式多用户选择网络。      

计量用脉冲Nd：YAG倍频激光器及其电源

介绍了脉冲Nd:YAG倍频激光器双波长（1064／532nm）3种输出的激光光路。1064nm输出的动静比可达0.40；KTP晶体外腔倍频效率可达0.50。介绍了稳定可靠的调Q电路、逻辑控制电路和开关电源的主电路及其参数计算。     

Q-LAN线故障导致SDH网管通信失败案例的处理

SDH网管系统在运行过程中几乎都会出现通信失败现象,即网元管理器或网络管理器与其所监控的网元之间不能进行正常的通信。导致通信失败的原因通常有软件故障和硬件故障两类。其中,软件故障多为数据拥塞或处理紊乱等因素造成的,通过拔插相关通信盘或断开后重新连接等方法实现数据清零或重启动,使网管系统恢复正常;常见的硬件故障有相关通信盘、连接线缆及转换器件故障,通过更换或处理这些故障件即可使通信恢复正常。下面是一例Q-LAN线故障导致SDH网管通信失败案例的处理。1网络的架构河北联通二级传输干线采用朗讯公司的Wavestar系列AD…     

Nd：GdVO4晶体生长及其LD端面泵浦调Q激光性能

通过液相合成方法提纯Nd：GdVO4多晶料，降低生长过程中存在的原料非一致性挥发，以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”，Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd：GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”：YAG晶体对Nd：CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示，Cr^4 ：YAG Nd：GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns，对应峰值能量为26．4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较，发现掺钕浓度越高，激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍，4．8W泵浦光下，最大GaAs调制激光输出为0．63W。     

10Hz Q 开关100mJ 小型无水冷激光器

介绍了一种重频10Hz ,Cr4 + ∶YAG被动Q 开关输出能量约100mJ 的小型无水冷固体 激光器,和无水冷激光器常用的几种结构形式,为提高器件的环境适应性,采用了角锥棱镜作为全反镜,器件在常温下输出约107mJ ,在高温+ 50 ℃环境条件下工作,激光输出112mJ ;在低温- 40 ℃环境条件下工作,激光输出103mJ 。     

电光全内反射调制

研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。     

LD泵浦Nd∶LuVO4/Cr4+∶YAG被动调Q激光器

采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶LuVO4晶体，利用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为19.1 W时，获得最高平均输出功率为4.58 W，脉冲宽度为84 ns，单脉冲能量为36.6 μJ以及峰值功率为436.2 W的激光脉冲.     

摩托罗拉8位HC08微控制器系列

摩托罗拉微控制器(MCU)具有编程语言简单、外围设备齐全、存储器模型用户友好、选择广及供应多、性能价格比高等优点,被设计者评为最容易使用的产品之一。在全球顶级的原始设备制造厂商(OEM)的无数嵌入式系统和用户最终产品中都可找到摩托罗拉的MCU,包括键盘、传呼机、电子游戏机、洗衣机、安全系统及汽车等。