基于Vague集的理想解和灰色关联结合的决策方法及应用

针对当前应用Vague集在解决多指标决策问题时存有的不足,提出一种基于Vague集的理想解与灰色关联结合的新决策方法.决策方法充分利用了Vague集强大的模糊信息表达能力,并将理想解法与灰色关联法进行有机结合,实现从位置和曲线形状两方面来更全面地反映备选方案与理想解的关系.最后,通过一个并购中目标企业选择的示例说明方法的应用过程,并验证了方法的可行性和实用性.     

探针馈电圆柱共形微带天线阻抗特性的FDTD法分析

将圆柱坐标系下非分裂式理想匹配层吸收边界条件(UPML)引入到圆柱共形微带天线的全波分析中，并给出了其中的场量迭代方程，明显地减小了计算空间，简化了编程；提出了圆柱坐标系下考虑有限尺寸探针半径的新算法，使得计算结果更加精确；应用GPOF方法预估了时域晚时响应，使计算时间减少了70％～90％。本文给出的模型能够对任意多层圆柱共形结构的微带天线进行计算，因此对此类天线的CAD设计具有实际意义。     

无线电基础知识讲座

电路分析中常用的定律和定理（中） 5等效电源定理 常见电源有两类，一类是电压源，一类是电流源，分别如图6-（1）和6-（2）所示。电压源中有恒定的电动势E和内阻r，当其内阻r=0时，称理想电压源。因其内阻为零，根据全回路欧姆定律，无论外接负载大小，它供出的电流怎样变化，其内阻都不会产生压降，所以其输出电压永远是恒定的，为此也称之为“恒压源”。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

理想九点五态控制器原理的叙述

用计算的方式叙述理想九点五态控制器的控制原理。为便于人们理解二阶对象的运动中控制的变化过程,将抽象的对象转换为人们熟知的L-R-C电路,通过调节输入电压(即控制作用)的大小和方向来实现对对象性能的调节,并使系统达到理想的性能指标。最后用仿真来验证计算结果的正确性。     

有感于“上海无新闻”

上海联通近日草拟了一份《规范上海移动通信市场协议书》，沪上媒体将其与即将进城的小灵通，或是一度出现过的资费降价联系起来。经笔者了解，纯属媒体的“合理想象”。上海联通的一位人士说，推进移动运营商间的合作竞争是张健就任上海联通总经理后要做的一件大事，这份协议便是着眼于上海移动通信市场的长期规范发展，大众媒体的新闻记者为了吸引读者，有时候“没     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

共面波导有限金属厚度效应的研究

用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析，编制了相应的计算机程序，给出了数值解，并对此进行了多元曲线拟合，导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解，并与K．C．格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较，结果表明此修正公式与实验值相符较好。     

实二次域上理想类的zeta-函数在-1处的值

用连分数给出了实二次域理想类的zeta-函数-1处值的一个具体的计算公式.