基于小波特征的M型星自动识别方法

M型星对研究恒星的演化具有重要价值.在我国正在实施的大型巡天项目(LAMOST项目)中,急需M型星的自动识别系统.本文给出了一种自动识别M型星的新方法,该方法由以下主要步骤组成:①选取一定波长范围的光谱进行5层小波变换,从第5层小波系数中提取出小波特征;②利用小波特征检测M型星特征频率和吸收带位置;③根据特征频率和吸收带位置的检测结果进行M型星识别.大量真实光谱数据实验表明,本文方法十分有效,识别率高达97.56%.     

电离层与卫星通信

利用电子流体动力学方程和麦克斯韦方程组推导了等离子体的特征频率、折射率，并讨论了电磁波在等离子体中传播的基本条件，从而得出了卫星通信的基本电磁学条件．     

标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。     

带通滤波器应用

本文主要阐述带通滤波器（BPF）的特点，结合在产品中的应用给出了几种实用电路，并进行了论述。     

pnp型SiGe HBT特性与Ge组分分布的相关性

在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率。本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并对结果进行讨论,发现其他条件相同时,梯形分布的pnp SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge组分的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,而特征频率情况类似。     

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质.对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小而增加,且柱高愈小,增加速度愈快;激发态能量随温度的升高而增加.这些结论说明,由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.     

基于EMD的多尺度形态学解调方法及其在机械故障诊断中的应用

为从机械故障信号中提取包含故障信息的特征频率,提出了基于EMD的多尺度形态学解调方法,该方法首先采用EMD方法将故障信号分解为有限个IMF分量,从中选取包含故障主要信息的IMF分量求和重构信号,再进行多尺度形态学解调,从而提取机械故障特征频率信息。将该方法用于滚动轴承、齿轮的故障诊断中,并与H ilbert包络方法比较,结果表明该方法能更好地提取故障特征频率,且对含噪故障信号也有较好的分析效果。     

一种新型SGOI SiGe异质结双极型晶体管

为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。     

二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.