高精度CCD尺寸自动检测系统的光学系统设计

介绍测量精度为±０．００３ｍｍ的ＣＣＤ尺寸检测系统的光学系统设计特点及远心物镜设计原理，并给出了测试结果。     

用于高数值孔径物镜的可调光瞳滤波器

根据矢量衍射理论，提出了一种用于提高高数值孔径显微物镜纵向分辨率的可调二元环形光瞳滤波器，通过改变滤波器的环半径获得不同的纵向分辨率，并利用共焦显微术点扩散函数的乘积性大大地降低了旁瓣相对主瓣的比值。模拟结果表明，这种新型滤波器不仅可以提高高数值孔径物镜的纵向分辨率，同时基本上不影响横向分辨率。     

宽带折反射式紫外光刻物镜的设计

本文设计了一种新系列的紫外或远紫外激光光刻物镜,它与国内外已有的紫外物镜相比,在365nm以下的光谱区,具有更宽的光谱工作带宽和较高的数值孔径.以宽带准分子激光或短弧汞氙灯做光源,无需另加色散补偿光学元件,可以进行同轴对准.     

测定透镜厚度新法及其误差探讨

本文介绍利用景深短、高倍率、大口径的物镜，采用光学方法，对被测透镜上下表面调焦，从而测定其中心厚度的一种新方法，并对测量误差进行了探讨。     

TDX-200TEM物镜磁路缺陷对物镜性能影响研究

基于TDX-200透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM),利用ANSYS软件仿真物镜磁路存在空隙、凹陷、凸起缺陷时物镜轴上的磁场分布,在此基础上利用MEBS软件仿真物镜激励、球差系数等性能参数,分析了各磁路缺陷对物镜分辨率的影响。结果表明,在相同加速电压下,相对于空隙缺陷、凸起缺陷对物镜分辨率的影响,凹陷缺陷对物镜分辨率的影响最大。在200k V加速电压下,当物镜存在直径为0.5mm的半圆形凹陷环缺陷时,实际分辨率相对于理想分辨率的变化量可达到9.68%。     

光刻机投影物镜的像差原位检测新技术

提出了一种新的光刻机投影物镜像差原位检测(AMF)技术。详细分析了该技术利用特殊测试标记检测投影物镜球差、像散、彗差的基本原理,论述了该技术利用对准位置坐标计算像差引起的成像位置偏移量的方法。实验结果表明AMF技术可实现球差、彗差、像散等像差参量的精确测量。AMF技术考虑了光刻胶等工艺因素对像差引起的成像位置偏移量的影响,有效避免了目前基于硅片曝光方式的彗差原位检测技术对离焦量、像面倾斜等像质参量限制的依赖。     

浸没式光刻技术的研究进展

浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理,讨论了液体浸没带来的问题,最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。     

折衍混合复消色差望远物镜设计的PWC方法

将衍射结构视为折射率无限大的薄透镜,研究了衍射透镜高折射率表示的折衍混合复消色差望远物镜设计的PWC方法;设计了焦距为2000mm、相对孔径为1/15的双片型折衍混合复消色差望远物镜,并与常规三片型纯折射复消色差望远物镜进行了比较,结果表明双片型折衍混合复消色差望远物镜具有更好的二级光谱校正能力,色球差更小,因此具有更好的成像质量.     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。     

ASML公司光学光刻技术最新进展

荷兰ASML公司作为全球三大光刻机集成生产商之一，通过不断的技术创新，在全球光刻机市场上居于领先地位。在简单介绍光刻机基本工作原理和主要技术指标的基础上，详细分析了ASML公司在光学光刻技术方面的最新技术进展。