薄膜的截面TEM样品制备

薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄，对其微结构的研究十分困难，许多表征方法难以采用。透射电子显微分析（TEM）是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易，但由于薄膜依附于基材生长，且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征，因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究，可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂，难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法，对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。     

Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

基片温度对TiB2薄膜生长形貌及力学性能的影响

TiB2是一种超硬材料,块体TiB2的硬度高达HV30Gpa,而且耐腐蚀、抗氧化,还具有优良的导电性能,是一种受到广泛重视的导电耐磨涂层材料[1].     

利用正交法优化人造水晶生长工艺

本文介绍了应用正交法优化人造水晶生长工艺的方法并在此基础上提出了生长工艺较为理想的设计；进一步明确了实际生产当中Ｑ值，生长速率，包裹体等各单项指标的优化方法，准确估计目前正使用的生长工艺距理想工艺的距离。从而有效地提高人造水晶生长工艺水平，在实际生产提供可靠的指导依据。本文给出利用正交法优化人造水晶生长工艺的较详细的操作和分析方法。     

超薄SiO2层的热生长

隧道小孔中超薄ＳｉＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ工艺模拟程序对超薄ＳｉＯ２的热生长进行了工艺模拟，经过大量的工艺实验及优化，确定了超薄ＳｉＯ２的最佳生长条件，生长出的ＳｉＯ２性能良好，完全可满足ＥＥＰＲＯＭ研制的要求。     

激光辐照对不同饵料微藻生长的影响

利用Nd:YAG激光(波长1.06μm,功率5W,照射时间0.5-3min)和Ar 激光(波长:488nm,功率70mw,照射时间5-20min)分别照射角毛藻和叉鞭金藻,辐照后进行细胞增殖和生长速率的测定。实验结果表明:照射剂量为1min的Nd:YAG激光及剂量为5min的Ar 激光对叉鞭金藻有较明显的促长效果,这两种激光处理组的细胞增殖量在辐照后的两天内较对照组分别高42.9%和48.1%,但这种促长效果随时间的推移逐渐消失。不同剂量的两种激光辐照角毛藻后,在延滞期均出现生长抑制现象,但进入指数生长期或传代培养后,剂量为1min的Nd:YAG激光及剂量为10min的Ar 激光对角毛藻有明显的促长效果,其中在指数生长期1min剂量的Nd:YAG激光处理可促长27.0%,传代培养后10min的Ar 激光处理组生长速率提高达51.2%。本文对不同激光及不同激光参数条件下,两种饵料藻的耐受性及生长特性的差异也进行分析探讨。本实验结果不仅证实了已有研究的推论,还展示出激光技术在饵料藻种选育中的应用前景。