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1.
《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
2.
为获得金属表面特别是高副接触金属表面含自润滑特性且具有高硬度耐磨特性的功能材料 ,研究了 45 # 钢表面激光合金化氮化硅 /石墨复合涂层的工艺方法、组织特征、界面形态及其形成机制 ,利用光学显微镜、扫描电镜和X射线能谱对所形成合金化层的元素分布和含量进行了分析 ,并对试样硬度进行了测定。结果表明 ,合金化层中元素Fe ,Co ,Si,C分布均匀 ;C含量达到了 15 6 9%,大部分以石墨的形式存在 ,具有一定的自润滑性能 ;但在形成合金化层的温度条件下 ,氮化硅分解严重 ;合金化层硬度提高的主要原因是Si Fe ,Co Fe固溶体的强化作用及高碳马氏体的生成和高硬度碳化物的存在。 相似文献
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4.
《电子工业专用设备》2006,35(4):7-8
全球石墨巨头德国西格里碳素集团特种石墨业务部在3月21号开幕的国际半导体设备与材料协会(SEMICON CHINA 2006)上宣布,西格里碳素特种石墨业务部正大力进军亚洲电子半导体应用材料市场,中国即将成为西格里特种石墨全球战略发展的主战场之一。 相似文献
5.
随着广电事业的飞速发展,广播电视正成为人们生活中重要的一部分.保证广播电视设备的优质运行是每个广播电视工程技术人员的首责.在日常的维护与检修过程中有许许多多的宝贵经验值得加以总结.下面本人以北京广播器材厂生产的CSD-IV/V-1A型分米波1kW彩色电视发射机的一次故障为实例加以分析并解决.以供同行作为参考. 相似文献
6.
7.
贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后,操作面板上出现错误代码“28”,离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动,由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2,并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验,仪器恢复正常。 相似文献
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9.
联栅晶体管(GAT)是一种介于双极型晶体管和结型场效应晶体管之间的电流控制型电力电子器件。本文介绍了GAT的结构、特点及其应用。 相似文献
10.
详细研究了高压偏移栅P沟MOSFET在Co^60-γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明:;击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外,γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅P沟MOSFET具有重要的指导作用。 相似文献