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2.
3.
自从MgB2(Tc=39K)超导体发现以来,AlB2型结构的二元化合物在实验和理论研究中都受到了日益广泛的关注。最近,我们利用高温高压方法合成了一系列具有Nb缺位的Nb1-xB2(0〈x〈0.7)化合物,得到了单相AlB2结构的样品。当0.2≤x〈0.5时,样品在8K附近出现明显的超导转变。结构分析表明,随着Nb含量的减少,晶格参数在x≈0.2处发生突变,在a-b面内收缩,沿c轴方向拉长。为了深入理解Nb1-xB2中超导特性与结构转变和电子结构的关系,我们对一系列Nb1-xB2样品进行了电子能量损失谱的测量;并且利用第一原理计算分析了材料的电子结构随成分变化的关系,得到了与实验一致的理论结果。 相似文献
4.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性. 相似文献
5.
6.
在很多金属材料中 ,界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用。随着电子显微学的进步 ,电子能量损失谱 (EELS)已被用来研究界面处的性能。例如 ,对Ni3 Al晶界处电子能量损失谱的研究表明 ,B在晶界处的偏聚改变了晶界处的电子态 ,从而对于改善Ni3 Al的脆性具有明显的作用[1,2 ] 。在过渡金属的合金中 ,如下的定性结论可以判别界面处键合的趋势 :当界面处EELS谱的白线较块体高且尖锐的情况下 ,界面处强度比块体低 ,界面为易断裂处 ;如果界面处的白线强度比块体较低 ,且有展宽效应 ,则界面处的强度高于块体强… 相似文献
7.
等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为… 相似文献
8.
9.
矩阵损失下回归系数的线性估计的可容许性 总被引:1,自引:0,他引:1
针对广义的Gauss-Markoff模型Y=Xβ+θ,E(θ)=0,Cov(θ)=σ2V,其中X和V>0是已知的n×p和n×n矩阵;β∈Rp和σ2>0是未知参数,给出了矩阵损失条件下,Sβ的估计LY+a在非齐次线性估计类中可容许的充要条件. 相似文献
10.
文章介绍了一种利用单片微机来实现有多种功能的浆纱测控系统,解决了纺织厂原有浆纱机测控所存在的问题,并介绍该系统的原理、软件硬件设计及现场应用情况。 相似文献