CT_1型瓷介电容器全国质量分等试验耐久性试验浅析

通过对全国集中分等试验的情况总结,分析了目前CT_1型瓷介电容器的失效模式和质量状况,提出了几点改进措施。     

雷达高电压机柜、组合的电气装接

结合高压设计理论和工程实践,介绍了雷达高压机柜、组合中零部件电气装接方法和过程控制要求。     

雷达高电压机柜、组合的电气装接问题

本文简述雷达高压机柜、组合在高密度、高电压、高功率工作状况下零部件电气装接所遇到难题——必须保障系统绝缘可靠问题的解决方式。通过从简单剖析高电压设计理论、揭示设计方法及检验手段过渡到具体装接操作步骤的论述。     

雷达发射机的电气装接问题

文章简述雷达发射机在高密度、高电压、高功率工作状况下零部件电气装接所遇到难题——必须保障系统绝缘可靠。     

温度对发射机的影响和降温实践

介绍广播电视发射机温度升高造成的危害和降低发射机工作温度的实践体会。     

背接触太阳电池发射区设计及可靠性研究

利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响.借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,详细分析了不同发射区结深、发射区边缘刻蚀技术和发射区边缘选择性掺杂技术对IBC电池热击穿特性的影响.结果表明:发射区表面浓度越大、结深越深,IBC电池效率越高.当发射区表面浓度为5× 1020 cm-3、结深为1 μm时,转换效率高达23.35％.同时,深结发射区也有助于改善IBC电池的热击穿特性.发射区边缘刻蚀结构不具有改善IBC电池热击穿特性的作用,而发射区边缘选择性掺杂结构可有效改善IBC电池的热击穿特性,从而提高IBC太阳电池组件的可靠性.     

功率半导体IGBT热击穿失效的可靠性研究

针对变频空调使用缘栅双极型晶体管（IGBT）击穿短路故障进行分析,确认IGBT为过压损坏失效。,空调供电电源出现大的波动影响芯片供电电源质量,电压偏低导致IGBT开通异常,不能及时欠压保护,IGBT长时间处于工作在放大状态,IGBT开通损耗大热击穿失效。本文主要从电路设计,工作环境,模拟验证等方面分析研究,确认IGBT击穿短路失效原因,从设计电路与物料选型优化提升产品工作可靠性。     

GaAs光导开关的热击穿实验研究

基于光导开关的热效应，本文对ＧａＡｓ光导开关的热击穿现象进行了实验研究。     

超导腔的热击穿和超导铌材料RRR值的无损测量

介绍超导腔热击穿原理 ;讨论了超导体热击穿磁场与超导材料 RRR值之间的定量关系 ;同时介绍一种非常实用的超导腔体 RRR值的测量方法涡流法无损测量原理及其实现方法 ;最后给出了国内外两种典型超导铌材料 RRR值的比较测量结果