首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   49615篇
  免费   10103篇
  国内免费   5245篇
化学   6216篇
晶体学   599篇
力学   950篇
综合类   222篇
数学   191篇
物理学   17168篇
无线电   39617篇
  2024年   324篇
  2023年   1331篇
  2022年   1572篇
  2021年   1715篇
  2020年   1292篇
  2019年   1307篇
  2018年   820篇
  2017年   1158篇
  2016年   1278篇
  2015年   1608篇
  2014年   3065篇
  2013年   2103篇
  2012年   2700篇
  2011年   3088篇
  2010年   2553篇
  2009年   3182篇
  2008年   3746篇
  2007年   3099篇
  2006年   3128篇
  2005年   2772篇
  2004年   2730篇
  2003年   2260篇
  2002年   1942篇
  2001年   1826篇
  2000年   1445篇
  1999年   1346篇
  1998年   1237篇
  1997年   1330篇
  1996年   1340篇
  1995年   1244篇
  1994年   1128篇
  1993年   889篇
  1992年   866篇
  1991年   849篇
  1990年   794篇
  1989年   877篇
  1988年   188篇
  1987年   144篇
  1986年   86篇
  1985年   89篇
  1984年   70篇
  1983年   74篇
  1982年   69篇
  1981年   233篇
  1980年   40篇
  1979年   12篇
  1977年   2篇
  1975年   12篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率   总被引:1,自引:0,他引:1  
Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的  相似文献   
2.
波音公司最近宣布,他们研制出一种被称为高能激光移动展示系统(简称HEL MD)的移动激光武器,这种激光武器在3轮测试中,成功地击落了150多架无人机、火箭和其他的敌方模拟目标。实验证明,这种激光枪能够在不同的环境下持续地瞄准、追踪并击中一系列的目标。据波音公司称,这种10 k W高能激光器的最新测试是在佛罗里达州的艾格林空军基地进行的。这种激光武器被安装在一辆军用车辆上,这就使它  相似文献   
3.
ST的STWBC数字控制器用于控制无线电池充电器(WBC,wireless battery charger)从发射器(TX)向接收器(RX)的电能传输,为内置无线充电手机、穿戴式装置以及采用电磁感应充电技术的电池供电产品提供灵活且高能效的无线充电解决方案。作为Qi无线充电联盟(Wireless Power Consortium)和电源事物联盟(PMA,Power Matters Alliance)两大无线充电行业联盟的成员,意法半导体完全遵守这些先进无线充电协议,并且是全球首批持有最新的Qi 1.1.2 A11标准证书的企业之一。  相似文献   
4.
5.
6.
7.
8.
为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款预错误原位延时检测电路,可以检测关键路径延时并输出预错误信号,进而控制单元可根据反馈回的预错误信号的个数调整系统电压.本芯片采用SMIC180 nm工艺设计验证,仿真分析表明,采用自适应电压缩减技术后,4个目标验证电路分别节省功耗12.4%,11.3%,10.4%和11.6%.  相似文献   
9.
10.
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号