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1.
2.
在标准模型中,稀有衰变道B+→D+sK*0只有通过纯湮没图才可以发生.这样这个衰变道的分支比很小.利用基于kT?因子化的微扰方法给出分支比的预测,发现它在10-8的量级上.这个衰变道估计在将来的LHC上得到测量,对检验标准模型以及探寻新物理有着重要的意义. 相似文献
3.
黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献
4.
Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy 下载免费PDF全文
We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived. 相似文献
5.
6.
与q形变玻色算符逆算符相关的相干态及其量子统计性质 总被引:1,自引:1,他引:0
讨论了q形变玻色算符的广义逆算符作用于q-相干态所得到的两类量子态的数学及量子统计性质。结果表明,q-相干态的光子激发态不存在压缩但呈现反聚束效应,而q-相干态的光子湮灭态却存在压缩但不呈现反聚束效应。 相似文献
7.
相干态光场的位相统计性质 总被引:5,自引:0,他引:5
根据Pegg-Barnett位相定义,计算了相干态光场的位相概率分布函数,并且进行了数值模拟。研究表明在真空态时,位相分布曲线为一条直线;相干态下位相分布曲线表现为:均匀分布→泊松分布→均匀分布。 相似文献
8.
研究了q变形湮没算符高次幂(αq^k,κ≥3)本征态的反聚束效应,并就κ=3的情况用数值计算方法研究了q变形参数对该效应的影响。结果表明,当q变形相干态中谐振子的强度x=|z|^2在某些区间内取值时,αq^k的本征态将呈现反聚束效应,并且这一效应明显地受到q参数的影响。当参数q取定时,随着q变形光场强度的变大,该光场的光子数涨落在经典(或量子)和量子(或经典)特性之间交替地变化。 相似文献
9.
通过保持非耗散介观LC电路的固有频率不变,而使电路参数作阶跃函数变化,就可将介观LC电路由初始的偶相干态制备到压缩偶相干态;在压缩偶相干态下,介观电路系统不仅有非经典的量子压缩效应,而且有非经典的反聚束效应.
关键词:
介观LC电路
单位阶跃函数
压缩算符
压缩偶相干态 相似文献
10.
本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量,计算结果表明,利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大,对GaAs,误差约为31.1%, 对ZnO,误差约为14.8%。 相似文献