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1.
2.
随着IC设计逐步进入VDSM阶段,SOC逐步成为设计的主流,IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时,主要关注芯片面积的大小;在80年代后期,延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题;进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题;近来制造中的成品率(Yjeld),芯片工作中的可靠性,以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。 相似文献
3.
深亚微米标准单元库的设计与开发 总被引:2,自引:0,他引:2
随着深亚微米工艺技术的发展,0.18μm COMS工艺巳成为国际主流的集成电路工艺标准。国内的深亚微米工艺也日趋完善,我们首家针对中芯国际0.18μm工艺,成功设计开发了0.18μm标准单元库。本文简要介绍了0.18μm标准单元库的设计与开发。 相似文献
4.
5.
随着工艺尺寸的缩小,IC设计的两大趋势是设计更复杂和对产品的设计周期要求更苛刻。在超深压微米IC设计中,设计的复杂性会导致信号完整性(SI)问题更加突出,从而会影响整个产品的设计周期。本文提出了SI概念以及影响它的因素,并针对其两个主要影响因素,串扰(crosstalk)和IR压降进行了分析讨论,并提出了解决的方案。 相似文献
6.
随着集成电路加工工艺技术向0.18微米或更小尺寸的继续发展,设计高性能的SOC芯片面对越来越大的挑战。几何尺寸越来越小,时钟频率越来越高,电压越来越低,上市时间越来越紧迫,因此设计复杂性迅速增加,互连线和信号完整性问题已成为影响设计成功的主要因素。现有的设计方法遇到了许多新的挑战。为了应对这些挑战,人们展开了深入的研究,提出了许多方法。本文将分析物理设计的挑战,回顾物理设计的方法,比较它们的优缺点,指出它们的适用范围,最后展望深亚微米物理设计的发展方向。 相似文献
7.
研究了深亚微米PD和FD SOI MOS器件遭受热截流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和闽值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FD SOI MOS器件所能承受的最大漏偏压。 相似文献
8.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
9.
无铅工艺是对目前SMT工艺制程的新挑战。本文主要介绍无铅工艺的背景、发展、推行过程中遇到的问题、工艺技术设定与调整,以及常见问题的解决办法。[编者按] 相似文献
10.
无 《现代表面贴装资讯》2005,4(5):93-94
课程目的 无铅技术也许是电子二级组装业中,自PCB技术以及SMT出现以来的最大变革。其影响面较以往的免清洗技术、封装革新技术(TAB、BGA、Flip-Chip、CSP等)还要大。经过十几年的研究和争论,不论电子业界中推行无铅是否有意义,国际间的立法,商家的投入要求回报,以及商家看到的商机等等,已经使无铅技术的推行成为必然的。我们已经没有做或不做的选择了。 相似文献