全文获取类型
收费全文 | 12252篇 |
免费 | 617篇 |
国内免费 | 1375篇 |
专业分类
化学 | 10595篇 |
晶体学 | 183篇 |
力学 | 12篇 |
综合类 | 126篇 |
数学 | 46篇 |
物理学 | 1210篇 |
无线电 | 2072篇 |
出版年
2024年 | 89篇 |
2023年 | 367篇 |
2022年 | 404篇 |
2021年 | 420篇 |
2020年 | 347篇 |
2019年 | 451篇 |
2018年 | 278篇 |
2017年 | 383篇 |
2016年 | 370篇 |
2015年 | 417篇 |
2014年 | 727篇 |
2013年 | 627篇 |
2012年 | 675篇 |
2011年 | 706篇 |
2010年 | 656篇 |
2009年 | 683篇 |
2008年 | 661篇 |
2007年 | 653篇 |
2006年 | 571篇 |
2005年 | 551篇 |
2004年 | 457篇 |
2003年 | 413篇 |
2002年 | 355篇 |
2001年 | 321篇 |
2000年 | 277篇 |
1999年 | 266篇 |
1998年 | 245篇 |
1997年 | 251篇 |
1996年 | 288篇 |
1995年 | 278篇 |
1994年 | 240篇 |
1993年 | 200篇 |
1992年 | 157篇 |
1991年 | 187篇 |
1990年 | 116篇 |
1989年 | 130篇 |
1988年 | 19篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
2.
煤直接液化油中混合酚的分离研究 《燃料化学学报》2019,47(11):1298-1304
利用分子筛择形特点,对煤直接液化油中的混合酚实施高效分离。本研究选取间甲酚和对甲酚作为分离煤直接液化油馏分段混合酚的模型化合物,采用化学液相沉积法对HZSM-5吸附剂的孔口结构进行改变,分析分子筛硅铝比及颗粒粒径对模型化合物间甲酚和对甲酚吸附分离性能的影响,以获得高性能固相吸附剂,并将其应用于180-190℃馏分段混合酚分离。结果表明,当分子筛硅铝比为25、粒径为3-5 μm时,分子筛的孔口结构调节效果最优;当正硅酸乙酯的最小用量为0.2 mL/g时,固相吸附剂的吸附量为0.03 g/g,对甲酚选择性高于95%。由于外表面沉积物对吸附剂的孔口结构变化,导致对甲酚选择性的提高。进一步采用HZSM-5(1)吸附剂对真实煤直接液化油混合酚的分离中发现,苯酚和对甲酚的选择性均达到100%。 相似文献
3.
4.
本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
5.
具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3″硅片低温外延研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统,本底真空达10^-7Pa。该系统配有反射高能电子衍射仪,可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。 相似文献
6.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
7.
根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统.根据实际生长中出现的问题和CaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进. 相似文献
8.
报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖 相似文献
9.
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-
关键词:
失配位错
外延生长
薄膜
分子动力学
铝 相似文献
10.
本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。 相似文献