基于度量学习的意图识别和槽填充方法

人机对话中小样本学习场景下的意图识别和槽填充,是自然语言处理的一个重要课题.本文采用基于度量学习的方法,通过计算query set中的样本与support set中样本的距离,寻找距离最近的类别样本作为分类标签,同时将两个任务联合进行训练,用以提升模型的效果.从实验结果中可以得出,本文提出的Fine-tune方法,对意图识别和槽填充任务都有一定的帮助和提升.胶囊网络在意图识别中也起到了一定的效果,可以帮助去除一部分无关信息,但对槽填充任务的帮助不明显;而任务自适应的投影网络,可以更好地将不同类的向量分开,提升了两个任务的性能.     

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

CCBN2015:索尼展示独具优势的4K全产业链产品

以"超越界限定义未来(4K for HD,4K for 4K,4K for all)"为主题,索尼中国专业系统集团集中4K优势阵容,携4K全线产品和系统解决方案于3月26日~28日在北京国际展览中心参展CCBN2015。在中国,影视制作已经由高清向4K进发,索尼正在努力协助广大用户实现4K在高清、4K和不同层次     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

论从模拟到数字时代技术保障工作的渐变及应对策略

在广电领域,由于电视节目的时效性和我国制、播安全始终被放在一个相当重要的高度,技术保障工作成为电视生产、播出流程中不可或缺的重要组成部分。由于时代发展和技术进步,技术保障工作的内容和形式正发生着深刻的变化,本文力图通过对这一演变趋势的剖析,以应用实例为锲入点,总结出相应的应对策略,从而建立起更加顺应时代要求的技术保障体系。     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

无纵向电场分量离子波纹激光的小信号增益

在离子波纹摆动器中，改变电子束的入射方向，保证了离子波纹场的纵向分量为零，从而消除了纵向电场对离子波纹激光的不利影响。给出了束电子的运动轨迹，运用Madey定理计算了小振幅条件下该离子波纹激光的小信号增益。     

不等波纹函数低通原型的理论及应用

本文提出不等波纹函数低通原型，并对其理论进行初步探讨。切比雪夫函数及最平坦型巴特活兹函数皆为其特例。文中给出不等波纹函数的几个性质，最后给出两个应用实例，消除耦合环自感部分的影响；抑制高次模的微带圆盘腔带通滤波器。