复杂结构沿面闪络产生发展阶段模拟研究

以天光Ⅱ-A装置X-pinch负载腔为例，采用包含场致发射、二次电子倍增模型的三维模拟软件OPAL，对复杂结构中真空绝缘体沿面闪络的产生与发展阶段进行了模拟研究。模拟结果表明，阳极产生的二次电子在平行于绝缘体表面的电场分量的作用下从阴极座向大半径的运动，是导致沿面闪络的主要原因。并提出了阻断沿面闪络的方法及其原理。采用阻断沿面闪络的措施后，后续多次X-pinch负载腔放电实验证明，正常的回流电流增加了近20%，真空绝缘体上的沿面闪络得到了抑制。；     

浅谈输电线路雷电过电压及防护

通过对雷电过电压的产生以及危害的分析,综合各种因素,制定在输电线路中对雷电过电压的保护措施,提高线路耐雷水平,减少雷电过电压事故的发生,保证线路供电可靠性和稳定性。     

高压绝缘子沿面放电过程泄漏电流的信号特征

针对目前高压污秽绝缘子闪络风险评估中虚警率高,结果不够准确的现状,本文重点考察了泄漏电流包络线信号的均值,方差,偏度,峰度四项指标和沿面放电状态之间的关系,通过利用求积法实现多个指标信息的综合后发现:综合指标较之各单一指标,在实现闪络风险评估时,可以有效降低虚警误报的风险,因而更加适合去实现闪络风险的综合评判。     

基于深度卷积网络的高铁接触网绝缘子缺陷智能识别方法

文章提出一种基于深度学习技术的高铁接触网绝缘子缺陷智能识别方法.首先利用EfficientNet-B3网络对绝缘子状态进行初步判别,再使用YOLO-V5模型实现绝缘子缺陷信息精确检测.同时,构建了正常、缺损、闪络3种状态,共计3000张图像的绝缘子样本集.实验表明,文章方法对绝缘子状态初步识别的准确率为93.1％,召回...     

聚集态和陷阱对交联聚乙烯真空沿面闪络特性的影响

研究了半结晶聚合物交联聚乙烯的聚集态和陷阱等对真空沿面闪络特性的影响.交联聚乙烯(XLPE)在135℃下恒温10min后,分别经过-56℃,-25℃淬火处理,自然降温,或1℃/min,0.5℃/min慢速降温等热处理过程,测量了热处理后试样的电气性能、显微结构、陷阱分布和真空中的沿面闪络特性.实验结果表明,与未热处理试样相比,热处理试样的直流闪络电压最高提高了76%,脉冲闪络电压最高提高了19%.认为热处理改变了XLPE试样的聚集态和陷阱,从而提高了XLPE试样的真空沿面闪络性能,提出了可以通过控制半结晶聚合物的聚集态和缺陷结构提高其真空沿面闪络性能.     

基于SAM-ED光谱匹配的绝缘子污秽类型检测方法研究

污闪是威胁电网安全可靠运行的重要原因之一，污秽类型差异将直接影响闪络电压大小。因此，及时掌握绝缘子污秽类型信息对预防污闪有重要作用。为此提出了一种基于SAM-ED光谱匹配的绝缘子污秽类型检测方法。采集不同污秽类型样本高光谱数据，经黑白校正及多元散射校正(MSC)去除噪声等干扰因素；利用竞争自适应重加权采样法(CARS)对光谱数据进行特征选取，分别在特征波段和全波段范围内通过SAM-ED光谱匹配法将测试组样本光谱与参考光谱进行匹配，根据匹配结果对样本进行分类；实验结果表明：相比于光谱角匹配法和最小距离法，SAM-ED光谱匹配法检测效果更好；基于全波长数据进行SAM-ED光谱匹配准确率可达95%,基于特征波长数据进行SAM-ED光谱匹配准确率可达98.33%。     

基于模糊PID控制的凝露闪络实验系统

为方便研究电力设备中的凝露及闪络现象，文中利用模糊PID算法设计了一款凝露闪络实验系统。单片机根据模糊PID算法的结果输出相应的PWM信号，通过驱动电路控制半导体制冷片等元器件的工作状态，实时调控实验样品的温度，并始终保持箱体内部环境的温/湿度恒定，从而诱导实验样品表面产生凝露。另外通过高压电源为样品施加可控高压，可引发凝露状态下的闪络现象。系统将凝露与闪络实验相结合，实现了对不同条件下电力设备环境的模拟，且温度控制精确稳定，为凝露与闪络等相关研究的开展提供了便利。     

十二烷基苯中有机玻璃和尼龙的纳秒脉冲沿面闪络特性

为了揭示十二烷基苯中绝缘材料沿面闪络的发展过程,并研究有效提高脉冲功率装置绝缘爬电距离的方法,通过实验对不同脉冲前沿、不同电场形式下有机玻璃和尼龙6在负脉冲电压下的沿面闪络电压进行了测量。结果发现:随着脉冲陡度的增加,沿面闪络电压增大;随着沿面距离的增大,闪络电压升高,但闪络场强降低;电场越不均匀,越容易发生闪络,并且在极不均匀场中,闪络距离较大时,闪络电压随沿面距离的增长趋势变缓,出现了明显的拐点。研究认为,液体介质中的沿面闪络与真空中的沿面闪络具有相似的闪络机制,沿面闪络是在气化的通道内完成的。     

直流高压加速管轴向绝缘的优化设计

 为了降低500 mA直流高压加速管高梯度区的电位梯度，对加速管轴向绝缘结构进行优化设计。首先分析了沿面闪络的机理和该加速管轴向绝缘体结构。根据SEEA理论并通过数值模拟，发现阴极、真空和绝缘体三结合点处电场畸变是产生高场强的原因，并分别对4种绝缘体结构进行模拟分析，最终确定出比较理想的结构：绝缘体沿面与阴极电极夹角为+45°，绝缘体两端开槽并均匀嵌入金属电极环，绝缘体均匀嵌入阳极电极片内。