采用SPCVD工艺制作的低氢氮氧化硅光纤

本文主要介绍Eugene M.Dianov等人采用无氢SPCVD工艺制作首批氮氧化硅光纤的工艺过程，并分析氮氧化硅光纤的性能。这种光纤在近红外区的最小损耗为几个dB/km。光纤芯中的氮含量达到3%。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用

研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。     

氮氧化硅反相色谱固定相材料的制备及色谱分离性能评价

硅胶是目前高效液相色谱(HPLC)固定相中应用最为广泛的基质材料,其流动相的最佳使用范围为pH 2～8。在高pH(pH＞8)的流动相条件下,流动相中的氢氧根会进攻硅胶基质表面残余的硅醇基,导致硅胶基质固定相骨架溶解。在前期的研究中,我们将高温氨气处理多孔硅胶微球得到的氮氧化硅材料用作HPLC固定相,氮氧化硅在高pH流动相条件下表现出了较硅胶更高的稳定性。本文利用元素分析对氮氧化硅材料的氮化程度及含氮量进行系统的表征,并考察了氮氧化硅材料在不同pH条件下的静态稳定性。利用十八烷基二甲基氯硅烷试剂对氮氧化硅材料表面进行疏水性修饰,并以元素分析和核磁共振波谱对表面键合氮氧化硅材料进行了表征。考察了不同碳链的烷基苯、酸性化合物、碱性化合物在疏水改性的C₁₈氮氧化硅反相色谱固定相上的色谱分离性能。进一步分别以酸、碱和中性化合物为分析对象,比较了C₁₈-SiON1050(10)与C₁₈-SiO₂色谱保留的差异。     

富氧氮氧化硅薄膜退火的研究

利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.     

超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究

MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中的GIDL效应，包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响．发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制，且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用．二维器件模拟结果指出，与SiO2栅NMOSFET相比，LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强．     

金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性

本文的实验结果表明，从６ＭＶ／ｃｍ到１４ＭＶ／ｃｍ的外加电场范围内，在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同，氮氧化硅膜漏电机理可分为三种，当电小于８ＭＶ／ｃｍ时，漏电是由于注入电子的直接隧穿填充绝缘体中的浅陷阱而引起的。在高场范围（＞１０ＭＶ／ｃｍ）Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ（ＦＮ）效应占支配地位。这些机理与介质膜的制备条件有关。在中等电场区域，注入电子能通过ＦＮ电流和直接隧穿到达     

Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的{111}织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661.7MPa。     

一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究

在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒.详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质颗粒的形成机理,并且提出三种不同的解决途径,然后通过具体实验数据比较得出解决热H3PO4湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践依据.