电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长

报道了N+离子轰击产生的氮化硼(BN)纳米结构,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果.应当强调的是,这种类富勒烯和发夹结构的演化,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物,可以被认为是类富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段.提出了一种类富勒烯等结构的电子辐照动力学模型,并进行了讨论. 关键词： 氮化硼 电子辐照 透射电子显微镜 氮化硼纳米形成物     

硼砂与氯化铵合成hBN反应机理的研究

 研究了以硼砂、氯化铵为原料在氨气气氛下合成hBN 的反应机理。指出氯化铵在反应中的主要作用是与硼砂反应形成可阻止硼砂颗粒团聚的高熔点膜层；而氨气的主要作用就是提供大量参与反应的NH₃分子，增加了反应几率；新生成的hBN则进一步隔离高度熔融的硼砂团粒，防止玻璃相的生成。     

石墨-六角氮化硼微晶混合物与水高压反应产物分析

 利用球磨法制备石墨-六角氮化硼微晶混合物，并在6.1 GPa、800~1 500 ℃条件下与水进行高压反应，以便研究用水作触媒合成B-C-N三元化合物的可能性。通过对反应产物的XRD、XPS谱分析发现：高压下随着温度的升高，反应产物中出现再结晶石墨，其晶化程度逐渐提高；但没有出现再结晶六角氮化硼，也未出现立方氮化硼。在球磨不充分条件下，石墨-六角氮化硼混合物的XRD谱没有完全弥散，它们与水高压反应时，能观察到石墨与立方氮化硼分别结晶的现象，但都没有形成B-C-N晶化结构。     

新型半导体薄膜材料的研究与进展

阐述了新型半导体薄膜材料－金刚石和富勒烯、Ｃ－氮化硼和β－碳化硅以及聚乙烯块和聚噻吩等制备技术进展、器件应用概况和未来发展趋势。     

氮化硼固相转变的船形模型

 船形转变模型是有rBN结构向wBN结构的固相转变模型。在静高压下，相比于以椅形方式，rBN更容易以船形方式转变。     

悬空石墨烯/六方氮化硼异质结焦耳热红外辐射器件的可控制备与光电性能研究(特邀)EI北大核心CSCD

石墨烯具有优异的光、电、热以及力学性质,而悬空石墨烯避免了衬底带来的褶皱、载流子散射和掺杂等影响因素,可以充分展现石墨烯的本征物理特性,因此在高性能石墨烯微电子和光电子器件研究中具有重要意义。然而,目前悬空石墨烯器件还存在着制备方法复杂、成品率低、性能不稳定等挑战。文中提出了一种利用六方氮化硼吸附石墨烯,将其定点转移到金属电极,制备悬空石墨烯焦耳热红外辐射器件的新方法。六方氮化硼对悬空石墨烯具有良好的支撑悬挂作用,有效提高了悬空石墨烯的力学稳定性,避免了坍塌、断裂等失效情况。真空热退火处理后悬空石墨烯的电阻降低到退火处理前的约六分之一,载流子迁移率比退火前提高了约18倍。当偏置电压为8 V时,拉曼光谱测试发现石墨烯温度为836 K,器件在955 nm波长处表现出强烈的红外辐射信号。     

低温反应制备高纯度纳米BN包覆Al2O3和ZrO2粉体

硼酸和尿素在氮气中于650℃反应,生成t-BN-Al2O3和t-BN-ZrO2纳米包覆粉.IR分析表明,反应产物中含CH2和CN基团的杂质属尿素缩聚的复杂产物,经450℃煅烧即可除去.硼酸和尿素完全反应,得到纯净的纳米复合粉体.BN产率大于99%,在复合粉中的含量与计算值吻合.     

选相原位法合成立方氮化硼的关键影响因素

利用选相原位法在水溶液中成功制备出了立方氮化硼晶体，对反应条件进行了优化。结果表明，利用选相原位法合成立方氮化硼的最佳实验条件是：反应压力为10.0 MPa，在氯离子加入下利用混合氮源进行反应。在该条件下得到了纯相的立方氮化硼晶体。     

(Me3Si)2NBCl2和(Me3Si)2NB(Cl)NHSiMe3的合成及其成环反应

自从氮化硼陶瓷纤维用聚合物先驱体法[1]合成以后,硼氮六元环化合物越来越为人们所重视[2],文中在制备氮化硼纤维先驱体的过程中,合成了其中间产物,通过热缩合成环反应,合成了含有硼氮六员环的化合物,并采用色-质联用技术对其进行了表征。1　实验部分参照文献[3],改用液氮和丙酮为冷冻剂,控制温度在-50到-40℃,搅拌下向三氯化硼的正戊烷溶液中缓慢滴加三乙胺的正戊烷溶液,滴完后Ｎ2气氛下-50℃加丙酮冷凝回流2ｈ,慢慢由-50℃升至室温,抽滤即得到白色产物Ｅｔ3ＮＢＣｌ3(Ａ)。将Ａ溶于适量苯中[4,5],加入等物质的量的三乙胺,加热回流搅拌…