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据《科学时报》近日报道,由中科院长春光机所、厦门大学共同承担的国家自然科学基金委员会重点项目“氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究”,日前正式通过了国家自然科学基金委信息科学部专家组的中期检查验收。该项目在国内率先获得了氧化锌同质结的电致发光,并且在国际上首次实现了蓝宝石衬底生长的氧化锌二极管室温电致发光,为今后氧化锌蓝紫外发光和激光二极管的发展奠定了实验基础。 相似文献
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最近我们合成了ZnO-AOT反向胶束体系。(AO,sulfQberasteinsaeur。his-(2-ethrlhexrllesterNatrlum·sak)。在低温热处理下卜SD℃),其光谱特征表现为:与**T修饰前的zno纳米微粒相比,带边激子发射明显增强,且表面缺陷态发光带蓝移。用锌盐与氢氧化物在醇中进行反应,生成Zno醉溶液。高分辨透射电镜成像表明,Zno纳米微粒径约6urn结晶性较好,可见晶格条纹。电子衍射表明ZuO为问锌矿结构且呈多晶态。用反相胶束法把Zno填充到xor反向胶束笼中,在~sooC回流4小时,制成zno-xowi甲苯反向胶束体系。在Uvikon吸收光谱仪和F… 相似文献
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Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
9.
掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文探讨了多种金属氧化物对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系材料的改性作用和对其微结构的影响,为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。 相似文献
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钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文阐述了钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响。通过对不同厂家、不同批次的钴氧化物进行包括X光衍射、电子显微观察、原子光谱、比表面积、颗粒度分布的全面对比分析,发现国内大多数标志为Co_2O_3的试剂均为Co_3O_4;在相同的配方、工艺条件下仅由于Co_3O_4的生产厂家或批次不同而引起ZnO压敏电阻器性能巨大差异的内在根源之一是这些Co_3O_4的晶粒太大。对其原因进行了理论探讨。还对用于ZnO压敏电阻器的Co_3O_4材料物理参数提出了明确的要求。 相似文献