新型陶瓷气密低损耗U波段波导窗设计

本文设计出一种应用于U波段的小型化、低插损、高气密性的毫米波波导窗传输结构,它采用完全无吸水率的陶瓷基片作为介质窗材料,首次在采用高介电常数介质情况下,实现了低损耗、完全气密的波导窗结构。经实物测试验证,其外形尺寸仅为4.3mm*2.9mm*2.05mm;该波导窗在-55℃～+85℃的环境温度下,其射频性能在46～53GHz频段内回波损耗优于15dB,插入损耗小于0.4dB,且其高气密性不产生变化。因此,该低损耗、高气密性的波导窗结构,满足毫米波系统在实际工程应用中对稳定性和可靠性的需求。     

微机电系统封装技术

首先提出了MEMS封装技术的一些基本要求,包括低应力、高真空、高气密性、高隔离度等,随后简要介绍了MEMS封装技术的分类.在此基础上,综述了三个微机电系统封装的关键技术:微盖封装、圆片级芯片尺寸封装和近气密封装,并介绍了其封装结构和工艺流程.     

耐高过载LTCC一体化LCC封装的研制

通过封装结构设计及其制造工艺流程和LTCC基板加工、围框与基板共晶焊接、平行缝焊封盖等制造工艺的研究,成功研制了适于多芯片、多元器件微电子模块的LTCC一体化LCC封装外壳,封装气密性满足国军标要求,能够达到抗25000g机械冲击应力的耐高过载水平。     

应用BCB材料进行硅-玻璃气密性封装的实验与理论研究

应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验，同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验，并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究. 测试结果表明：在250℃的低温键合条件下，经过500kPa He气保压2h, BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)E-4Pacc/s He；剪切力在9.0~13.4MPa之间，达到了封装工艺要求；封装成品率达到100%. 这表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法. 还根据渗流模型理论，讨论了简易模型下气密性（即渗流率）和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系.     

平行缝焊壳体温升影响研究

在微电子器件密封工艺中,平行缝焊气密性焊接过程的热冲击导致器件质量问题是一种比较常见的现象。为了量化分析缝焊温度与焊接参数、封装外壳形式的关系,提出了一种采用AD590温度传感器芯片定量测试器件内腔温度变化情况的新方法。针对测试的温度数据,根据其规律性开展工艺优化试验,降低产品在焊接过程中生产的热应力损伤,避免产生质量问题。     

舰用密封元器件的气密性检测

主要介绍军用密封元器件气密性检测的必要性及常用方法。无损检测在产品装备过程中的广泛应用确保了产品质量的提高,在行业中发挥着越来越重要的作用。     

微电路内部气氛含量分析与控制

微电路内部水汽含量是影响器件可靠性的主要因素,水汽的控制包括粘接材料选择、清洗、密封前预烘烤、气密性焊接,等等.文章分析了微电路内部气氛的组成及来源,并根据实际案例,提出了与热应力和机械应力相关的间隙性漏气或单向漏气原理及其解决措施;给出了计算器件漏率的数学模型和内部气氛含量控制技术.     

金属外壳封接用双层玻坯的研制

以BH—G/K玻璃为基体,以添加Al2O3粉的DM—308玻璃为表层区研制出与金属外壳封接的双层玻坯。分析了Al2O3粒度及添加量对熟坯致密化和线收缩率的影响。结果表明,表层区使用添加质量分数为20%和30%0.5μm粒径Al2O3粉的DM—308玻璃可以实现熟坯的匹配收缩,用于UP2113—14外壳熔封。电镀后外壳气密性、绝缘电阻均有数量级提高,玻璃沿引线上爬高度只为BH—G/K玻璃的1/3,显著降低外壳盐雾试验后引线根部易锈蚀和引线受力后绝缘子开裂的风险。     

红外焦平面微型金属杜瓦高气密激光焊接的研究

高气密激光焊接是红外焦平面微型金属杜瓦的关键技术。针对微型杜瓦的结构和材料特点,通过实验对激光焊接设备可调参数电流和脉宽与焊接能量的关系、电流和脉宽对焊斑宽度、焊接斑深度的影响、离焦量和重叠对焊接质量影响的研究,得到不锈钢和柯伐、不锈钢与不锈钢和柯伐与柯伐的合理的焊接参数,并将这些工艺参数应用到某个工程项目用红外焦平面微型金属杜瓦的激光焊接中,其漏率均优于3×10-12Torr.L/s。     

水汽对塑封集成电路、分立器件可靠性的影响

塑料封装是一种非气密性封装,所用封装材料主要是由改性环氧树脂和填充料配制而成,它具有一定的亲水性,因此具有容易在其表面吸附环境中的水汽的特点。当吸附了水汽的器件处在高温环境时,器件内部吸附的水汽被汽化,产生的蒸汽压力急剧升高,导致器件内部各界面间产生分层和焊线损伤,甚至发生"爆米花"现象等。本文例举一个典型案例,来说明水汽对塑封器件的影响,寻找降低水汽对器件影响的措施。