全文获取类型
收费全文 | 4628篇 |
免费 | 943篇 |
国内免费 | 968篇 |
专业分类
化学 | 303篇 |
晶体学 | 35篇 |
力学 | 132篇 |
综合类 | 39篇 |
数学 | 40篇 |
物理学 | 1274篇 |
无线电 | 4716篇 |
出版年
2024年 | 52篇 |
2023年 | 152篇 |
2022年 | 199篇 |
2021年 | 186篇 |
2020年 | 130篇 |
2019年 | 127篇 |
2018年 | 90篇 |
2017年 | 148篇 |
2016年 | 136篇 |
2015年 | 209篇 |
2014年 | 362篇 |
2013年 | 226篇 |
2012年 | 303篇 |
2011年 | 284篇 |
2010年 | 251篇 |
2009年 | 315篇 |
2008年 | 381篇 |
2007年 | 332篇 |
2006年 | 351篇 |
2005年 | 284篇 |
2004年 | 265篇 |
2003年 | 298篇 |
2002年 | 213篇 |
2001年 | 212篇 |
2000年 | 168篇 |
1999年 | 128篇 |
1998年 | 123篇 |
1997年 | 115篇 |
1996年 | 72篇 |
1995年 | 64篇 |
1994年 | 94篇 |
1993年 | 36篇 |
1992年 | 51篇 |
1991年 | 46篇 |
1990年 | 51篇 |
1989年 | 49篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
排序方式: 共有6539条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
量子自旋液体是最近几年刚被人们证实除铁磁体、反铁磁体之外的第三种磁性类型,因其有望解释高温超导的运行机制、改变计算机硬盘信息存储方式而在物理、材料等领域备受关注。自旋阻挫作为量子自旋液体的最小单元可能是解开量子自旋液体诸多问题的钥匙,所以在磁学、电学研究领域再一次成为人们研究的热点。基于文献报道的三核铜配合物[Cu3(μ3-OH)(μ-OPz)3(NO3)2(H2O)2]·CH3OH(1),我们合成了三维金属有机框架配合物{[Ag(HOPz)Cu3(μ3-OH)(NO3)3(OPz)2Ag(NO3)]·6H2O}n(2)(HOPz=甲基(2-吡嗪基)酮肟),并从自旋阻挫的角度对二者磁性质进行对比和详细分析。磁化率数据表明自旋间有很强的反铁磁相互作用和反对称交换。通过包含各向同性和反对称交换的哈密顿算符对两者磁学数据进行拟合并研究其磁构关系,所获最佳拟合参数为:配合物1:Jav=-426 cm^-1,g⊥=1.83,g∥=2.00;配合物2:Jav=-401 cm^-1,g⊥=1.85,g∥=2.00。 相似文献
3.
一、前言阻水粉(高吸水性树脂)是一种新型的高分子材料,聚丙烯酸钠盐SAP(super absorb Powder)。1976年,日本三洋化成是全球最早研究和生产吸水性树脂的厂家。随着时间的推移,现在全球形成以三大雅精细化学品有限公司、日本触媒、住友精化、巴斯夫、台塑这几大公司。主要应用领域为:农业、消防、医疗、卫生用品、工业等领域;在光缆领域的应用微乎其微,主要应用在光缆的原材料方面,如:阻水带、阻水缆膏。 相似文献
4.
5.
《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
6.
低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
7.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
8.
9.
10.