全文获取类型
收费全文 | 4774篇 |
免费 | 592篇 |
国内免费 | 2589篇 |
专业分类
化学 | 4238篇 |
晶体学 | 175篇 |
力学 | 191篇 |
综合类 | 101篇 |
数学 | 183篇 |
物理学 | 1265篇 |
无线电 | 1802篇 |
出版年
2024年 | 63篇 |
2023年 | 230篇 |
2022年 | 274篇 |
2021年 | 260篇 |
2020年 | 200篇 |
2019年 | 198篇 |
2018年 | 149篇 |
2017年 | 174篇 |
2016年 | 175篇 |
2015年 | 170篇 |
2014年 | 346篇 |
2013年 | 271篇 |
2012年 | 301篇 |
2011年 | 310篇 |
2010年 | 266篇 |
2009年 | 296篇 |
2008年 | 360篇 |
2007年 | 353篇 |
2006年 | 354篇 |
2005年 | 319篇 |
2004年 | 316篇 |
2003年 | 282篇 |
2002年 | 226篇 |
2001年 | 240篇 |
2000年 | 169篇 |
1999年 | 211篇 |
1998年 | 186篇 |
1997年 | 170篇 |
1996年 | 167篇 |
1995年 | 132篇 |
1994年 | 153篇 |
1993年 | 116篇 |
1992年 | 137篇 |
1991年 | 107篇 |
1990年 | 87篇 |
1989年 | 114篇 |
1988年 | 22篇 |
1987年 | 15篇 |
1986年 | 10篇 |
1985年 | 15篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有7955条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
3.
4.
用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中,借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程,从而理解各种衬度形成的物理机制。 相似文献
5.
6.
7.
采用Cundari和Stevens等推导的有效芯势对镧系金属一氢化物进行了理论计算,以探讨镧系金属元素与氢的相互作用。结果表明所有镧系金属一氢化物基态时理论上是稳定的,最稳定的是SmH,最不稳定的是DyH;键长计算结果显示,基态时镧系金属一招兵买马花物有独立王国 收缩现象发生;红外振动频率理论计算值与实验结果一致;成键轨道中,金属原子轨道的贡献主要是s轨道和d轨道:从CeH至ErH(GdH)例外)随着外层电子的增加s轨道成分逐渐增大d轨道成分逐渐减小;从TmH和LuH(包括GdH),成键轨道中金属原子轨道的贡献主要是d轨道,约为90%;约大多数镧系金属一氧化物的成键轨道中金属原子轨道f成分小于1%。 相似文献
8.
新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图,对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验,研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律,为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。 相似文献
9.
本文对特征P的基域F引入适当的Galois群T,讨论p置换模的Green环的Conlon比析在Galois群T作用下的动态,证明了在T作用下p置换模的Green环的不动点集重合于置换模的Green环。 相似文献
10.
Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature 下载免费PDF全文
Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献