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低阻VDMOSFET的优化设计与制造 总被引:1,自引:1,他引:0
文章对9926型双N沟增强型VDMOSFET进行了结构和版图的优化设计。给出了该器件的纵横向结构参数,材料的物理参数和版图总体结构。单胞结构的优化设计使单胞密度达到204万个/cm2,比国际市场现有产品的单胞密度(156万个/cm2)提高了30%。这种设计采用浅n+注入工艺可使器件生产成本下降31%。最后对研制结果进行了分析讨论。 相似文献
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PTC热敏电阻的应用领域日益广泛,对PTC电极浆料的需求呈快速增长,国内市场上的PTC电极浆料存在两个主要问题,一是电极浆料的工艺适应性差;二是电极浆料的使用工艺不当。本系统地研究了本所研制的SD1140型PTC欧姆银浆,SD1141型PTC表层银浆,SD1142型PTC铝电极浆料的使用工艺,确定了其使用工艺的最佳参数,为用户更好地使用本产品提供参考。 相似文献
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求线性规划初始可行基的新方法 总被引:9,自引:3,他引:6
本文提出一个求线性规划初始可行基的新算法,该算法不仅避免了人工变量,而且理论分析及初步的数值实验结果表明其效率更高。 相似文献
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