微波组件中多层陶瓷电容器装联工艺研究

多层陶瓷电容器(MLCC)在微波模块或组件电子装联焊接过程中,经常出现裂纹、断裂故障。通过模拟MLCC多种焊接方式,制备样品,进行DPA分析,发现目前常用的手工焊接方式会使MLCC产生不同程度的裂纹缺陷。这些裂纹在后续的环境试验中将不断扩大,从而导致产品失效。分析了MLCC裂纹产生的原因和机理,给出了MLCC无损伤的焊接方式。     

近红外脑血氧监测设备在临床中的应用

脑是人体最重要的器官之一,人的思维、言行、呼吸、生命活动与其密切相关,其完善的功能建立在充足的血、氧供应基础上。实时、无创、准确地测量脑组织血氧参数是临床的迫切需要,对提高心脑血管等疾病的诊断和治疗具有重要意义。     

HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究

文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果.首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模.扫描电镜结果发现,由于刻蚀的选择比低,所以掩模图形退缩严重,刻蚀端面的平整度差,台面侧壁垂直度低.因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀.结果发现,SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面.但是深入的测试表明,介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤.最后通过优化生长条件,获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术.     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

Ronchi光栅光密度的一种测试方法

本文提出利用衍射光栅的反射特性,在自光图像处理系统中对光栅进行实时无损伤检验.这种方法灵敏度高、简便易行,有较高的实用价值.理论与实验结果一致.     

无损伤开启密封盖方法

加固液晶显示器为具有抗恶劣环境能力,开合面采用密封设计。其后盖和壳体通过螺钉联接,其间隙采用密封垫、密封胶灌封实现密封。但在维护保养时很难将其分开,甚至要损伤其部分功能。文中详细介绍了一种无损伤开启技术。经实践应用表明该技术简单实用,事半功倍。对开启类似密封件提供了实际应用参考和推广。     

用于脑血流量检测的近红外光谱术

介绍了用于大脑血流量检测的近红外光谱术的基本原理和实验体系,该系统可完成对近红外光学信号的实时采集、处理和显示等功能。在血模型实验结果基础上,报道了大脑血流量变化的近红外光学检测结果。     

基于纠错编译码的基带无损伤切换设计

根据工程实践,介绍了常规基带无损伤切换的实现方法并分析了由切换参考标准计算方法不理想带来的问题,提出了一种改进的基于纠错编译码的无损伤切换设计。该方法利用RS译码器给出的错误码字个数作为切换参考信号,实现了快速准确的切换。通过工程实践,验证了方法的可行性。