电子信息产品污染控制形势与任务

欧盟于2003年2月13日发布了《关于在电子电器设备中限制使用某些有害物质的指令》．即人们所说的RoHS指令；并于2006年初完成了其25个成员国根据该指令转换本国法律法规的工作．2006年7月1日．该指令开始实施。中国在2006年2月28日出台了《电子信息产品污染控制管理办法》．即中国的RoHS规章，2006年3月1日该规章开始施行。     

联创FlashSpeed 5208三层(接入控制)交换机

FS5208是针对以太网商用化而设计的IP接入产品。FS5208采用先进的ASIC技术和Cross-Bar交换技术,具有强大的硬件转发能力和灵活的协议处理能力,为适应电信运营要求,FS5208加强了用户管理、计费等方面的处理,使之既有以太网接入经济、成熟的特色,又有电信级的用户管理和运营能力。 适用于新建小区和商用大楼,也可以运用于商业网的宽带化。FS5208采用用户端口标识的接入方式,可以用于接入固定配置的用户和动态配置的用户。FS5208通过识别用户IP地址、终端MAC标识和接入网络时的网络端口标识来确定用户的唯一性和合法性。FS5208可对用…     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

YBa2Cu1-xCox(Cu1-yZny)2Oz体系的Co,Zn共同掺杂效应

本文报道通过对YBa₂Cu_1-xCo_x(Cu_1-yZn_y)₂O_z(0≤x,y≤0.1)体系晶体结构、氧含量、正常态电阻-温度关系、Hall效应以及超导临界温度等的综合测量,发现随着Co和Zn含量的增加,体系经历了从正交结构的超导金属向四方结构的非超导半导体的转变,超导临界温度T_c和载流子浓度n_h均迅速下降,Co 关键词：     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

不易受反射影响的掺铒光纤放大器

从实验上和理论上考查了在掺印光纤内隔离器的插入对光纤放大器对外部反射的灵敏度的影响，考查了处于不同饱和范围的掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）的情况，而且把具有隔离器的光纤放大器结构与不上有隔离器的传统结构进行了比较。发现最显著的改善是在小信号范围内，对反射的要求可放宽１３ｄＢ。这一优点，连同增益和噪声指数的提高，使具有这种隔离器的光纤放大器结构对于用作前置放大器来说格外引人注目。