低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片

该产品采用气相掺氮技术，即氮气既作为保护气，又通过与硅熔体反应掺入熔体，是硅晶体中氮的来源，解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相（氮气）直接掺氮，操作简便，成本低廉，但需要用特殊方法精确控制掺入量。     

6英寸重掺砷硅单晶及抛光片

1半导体硅材料在国民经济中的意义 在全球信息化和经济全球化的进程中,以通信业、计算机业、网络业、家电业为代表的信息技术,获得了飞速发展,信息产业已经成为每一个发达国家的第一大产业。进入21世纪以来。我国信息产业的发展已超过传统产业而成为国民经济中第一大产业和对外出口创汇的支柱产业。     

无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错

Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件.介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件.实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产.     

聚氨酯抛光片在透镜高效生产中的应用

本文对聚氨酯抛光片的性能、特点作了概要介绍，在透镜生产中应用聚氨酯抛光片单块加工及成盘加工的方法分别作了讨论，以及众多的工艺因素作了较为详细的分析，介绍了常出现的光圈异常现象的排除方法，从而达到稳定、高效的目的。     

用缩醛树脂制作光学抛光片

本文讨论了缩醛树脂一般性质和特性，及其在制作光学抛光片中的应用。     

一种新型的固着磨料抛光片──WBN抛光片的制作工艺及其特性

本文描述了用冲击合成方法得到的超硬材料纤锌矿型氮化硼（ＷＢＮ）制作的一种新型抛光片。在光学玻璃抛光中的初步应用显示：这种新型的ＷＢＮ抛光片具有比传统的ＣｅＯ２。抛光片更大的切削力、更短的抛光时间和更好的表面粗糙度及更长寿命等优点。     

大直径硅（111）抛光片表面微结构研究

大直径硅（１１１）抛光片表面微结构研究＊＊国家自然科学基金资助项目贝红斌刘鸿飞（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）本文利用自行研制成功的电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）和扫描隧道谱（ＳＴＳ）对不同掺杂浓度大直径ｎ型硅（１１１）抛光片表面微缺...     

GaAs抛光片腐蚀过程初步研究

采用Ｘ射线衍射、Ｘ射线双晶衍射和Ｘ射线荧光三种手段对经Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１６：１：１和３：１：１腐蚀液,在不腐蚀条件下得到的ＧａＡｓ片子进行近表层结晶完整性、片子表面的残留产物以及发射二次Ｘ射线情况测量,并初步分析了这些数据。     

影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.