利用入射角度抗辐射干扰

理论和初步实验证明，利用电磁波相对于介质片的入射角度可以较好地抑制辐射干扰。对于平行极化波，当入射角θ＝ａｒｃ ｓｉｎ√ε２／（ε１＋ε）２时可以穿过介质片，而对于垂直极化波则只有极少部分能量穿过。     

TOPSwitch集成电路在DC/DC电源设计中的应用

文章介绍了PWM／MOSFET二合一的TOPSwitch系列集成电路及其在DC／DC电源设计中的应用，还介绍了基本反馈方式的DC／DC拓扑结构及其改进措施，并对由TOPSwitch集成电路构成的DC／DC电源进行了抗中子实验。     

星载控制软件上载技术

从提高星载设备可靠性入手，着重对星载控制软件上载的重要性进行了描述，并对各个技术要领进行了详细剖析。另外还提出了软件抗单粒子翻转的通用方法。     

基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法

建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法，该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础，采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析，并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响，最终结合系统功能阈值，给出系统功能的裕量及不确定度估计，进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性，应用该方法对某模数转换电子系统的抗总剂量能力进行了评估，并将评估结果与该电子系统的总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化，评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。     

数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计

随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。     

抗辐射能力量化设计方法

抗辐射能力表现为系统技术性能对辐射损伤的敏感程度。抗辐射能力是设计、生产出来的。抗辐射量化设计能力是抗辐射加固技术发展水平的重要标志。根据QMU(性能阈值、裕量和不确定度)的思想,提出量化抗辐射设计,第一要优化系统总体设计,为辐射损伤敏感的技术性能合理地分配裕量;第二要量化系统工作的辐射环境及其不确定度,量化在实际工作的辐射环境中,辐射损伤引起的系统及其器件和结构的技术性能变化和不确定度,综合优化抗辐射措施,确保技术性能变化及其不确定度被有效控制在分配的裕量范围内,最后量化加固设计效果,预测系统抗辐射能力。     

一种新型低功耗加固SRAM存储单元

提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元.采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗.Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转比例为33.33％.与其他10种存储单元相比,该存储单元的面积开销平均增加了 3.90％,功...     

航天鱼眼相机光学系统设计的研究

充分考虑鱼眼相机应用的空间环境特点,设计了一款基于1/3inch(1inch=25.4mm)CCD的航天鱼眼相机光学系统,系统焦距2.1mm,F数为4,视场角为210°,工作温度-40℃～+60℃。重点研究了环境因素对鱼眼相机光学系统成像质量的影响,分别从抗空间带电粒子、抗紫外辐照、温度和气压适应性方面进行了分析和研究,给出了相应的解决思路和方法。相机在严峻的空间环境下具有良好的环境适应性,为在轨获得超广角空域信息提供了保证。     

辐照对硅光电二极管可靠性影响的研究

本文介绍了辐照对硅光电二极管的辐射效应和损伤机制。比较了γ射线、电子、质子、中子以及重离子辐照后,光电二极管各项特性参数的变化。根据辐照对半导体的作用原理,解释不同辐照引起的变化规律。寻求抗辐射加固方法,改善光电二极管的抗辐射性能。     

一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路

研制出一种高抗辐射的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。在阐述其工作原理的基础上 ,进行了抗辐射设计与版图设计。通过实验分析找到了向 SOI材料的 Si O2 埋层注入 F+ 离子的优化注入条件 ,有效地抑制 SOI CMOS器件的阈值电压的漂移 ,提高了电路的抗辐射性能。采用注入 F+离子 SOICMOS工艺投片后测试结果表明 :该电路与同类体硅电路相比 ,具有高速、低功耗、测量精度高以及优良的抗辐射性能