减压扩散高阻密栅技术应用研究

本文对减压扩散机理及高阻密栅技术作了详细的分析,并就设备及工艺方面的关键技术进行了阐述,最后对减压扩散高方阻工艺及密栅匹配技术电池效率进行了对比分析,有以下结论:(1)减压扩散在工艺优化后,方阻均匀性得到大幅改善,达到3;以内.(2)减压扩散电池效率完全可达到常规产线的水平,且在高阻密栅方面更有优势,可有效提升太阳电池效率.     

基于决策树算法的校园客户识别模型

校园市场是基础电信运营企业细分市场的重要组成部分,对企业核心竞争力的提升和可持续发展具有重要意义。本文主要介绍一种决策树算法的校园客户识别方法。该方法根据决策树算法的基本原理,融合了社交网络扩散原理和打分机制,将其应用到校园客户识别模型建设之中。通过外呼等方法验证客户准确性相比原有模型有了极大提升,证实了该模型的有效性。     

对流扩散方程的缩减基有限元法的后验误差

将缩减基(RB)方法和有限元方法相结合,在保证偏微分方程的有限元离散格式具有足够高精确度前提下,能够大幅度地降低有限元离散格式的维数,从而大大降低计算中内存容量和计算时间的消耗.针对对流扩散方程建立基于RB方法的Crank-Nicolson有限元离散格式,并给出后验误差估计结果.     

超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层

研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.     

Klipsch RB35书架箱

与之前RF7同处一代的RB5等书架箱有所不同，这一代参考系列被分别命名为RB15、RB25和RB35等，明摆着是想要和前一代产品区分开来。RB35在新的RB系列中名列第二，之上还有款源于RF7的RB75。     

元器件与组件

保持电流为550mA的保护器新的LVR系列PolySwitch可复位器件的最大保持电流额定值从400mA提高到了550mA,保护电子器件免受过电流和过热故障状态所引起的损坏。电压额定值为240VAC,最高允许电压可达265VAC,能够在电源和变压器的初级端同时提供对过流和过热故障的保护。分为直脚引线和弯脚引线结构,采用卷带式包装,通过了UL、TUV和CSA认证。Tycohttp://www.tycoelectronics.com具备高阻断电压特性的扩散二极管额定电压为600V的60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管的铂扩散工艺精确地控制了载流子寿命;设定或调整二极管恢复速…     

三维热传导型半导体器件瞬态模拟问题的Crank—Nicolson差分—流线扩散有限元法及其数值分析

本文研究三维热传导型半导体器件瞬态模拟问题的数值方法。针对数学模型中各方程不同的特点，分别提出不同的有限元格式。特别针对浓度方程组是对流为主扩散问题的特点，使用Crank-Nicolson差分-流线扩散计算格式，提高了数值解的稳定性。得到的L^2误差估计关于空间剖分步长是拟最优的，关于时间步长具有二阶精度。     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：