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1.
任军江顾劭忆朱源肖春王莲萍夏奕培陈钱龙 《光学与光电技术》2015,(3):20-22 28
为了提高特殊截止单模光纤的弯曲可靠性,采用气相沉积工艺制作了包层直径80μm碳涂覆的特殊截止单模光纤,测试了光纤的截止波长、模场、衰减谱、宏弯、色散等传输性能和应力腐蚀敏感性参数。测试结果表明光纤截止波长小于915nm,能够实现915nm以上波长单模工作,在常用的几个波段具有较低的传输损耗,光纤的零色散波长红移到1 670nm。采用碳涂覆工艺提高光纤的应力腐蚀敏感性参数达到35,结合小包层直径预期可以提高光纤的使用寿命。 相似文献
2.
本文对一个640×512元的长波长截止窄波段(△λ/λ≈10%)量子阱红外光电探测器焦平面列阵、一个在4μm-16μm谱区有四个波段的量子阱红外光电探测器焦平面列阵和一个截止波长为15.4μm的宽波段(△λ/λ≈42%)量子阱红外光电探测器焦平面列阵进行了论证。 相似文献
3.
采用有限差分法利用Matlab求解了方同轴波导的特性阻抗和高次模的截止波长,并将数据与国外文献数据进行了对比,证明了有限差分法结合Matlab在分析简.单截面的同轴波导时是简单可行的,而且计算精度较高,通用性强,可以用于传输线工程问题的设计和计算。最后计算了矩形同轴线的相关数据用于与方形同轴线作对比。 相似文献
4.
利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度 总被引:1,自引:1,他引:0
以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度. 相似文献
5.
We create a GaN photocathode based on graded Alx Ga1-x N buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer interface on the photoemission of transmission-mode GaN photocathodes.A gateshaped spectral response with a 260-nm starting wavelength and a 375-nm cut-off wavelength is obtained.Average quantum efficiency is 15% and short wavelength responses are almost equivalent to long wavelength ones.The fitted interface recombination velocity is 5×104 cm/s,with negligible magnitude,proving that the design of the graded buffer layers is efficient in obtaining good interface quality between the buffer and the emission layer. 相似文献
6.
7.
据www.techbriefs.com网站报道,美国喷气推进实验室已研制出一种工作温度比现有的InSb基中波红外探测器高的中波红外势垒光电探测器。这种标准的高工作温度势垒红外探测器是用一种与GaSb衬底晶格匹配的InAsSb红 相似文献
8.
9.
10.