首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2609篇
  免费   414篇
  国内免费   264篇
化学   511篇
晶体学   2篇
力学   40篇
综合类   51篇
数学   197篇
物理学   798篇
无线电   1688篇
  2024年   11篇
  2023年   58篇
  2022年   100篇
  2021年   83篇
  2020年   58篇
  2019年   85篇
  2018年   40篇
  2017年   70篇
  2016年   95篇
  2015年   106篇
  2014年   195篇
  2013年   171篇
  2012年   218篇
  2011年   207篇
  2010年   153篇
  2009年   177篇
  2008年   195篇
  2007年   158篇
  2006年   141篇
  2005年   132篇
  2004年   130篇
  2003年   130篇
  2002年   108篇
  2001年   97篇
  2000年   61篇
  1999年   45篇
  1998年   27篇
  1997年   41篇
  1996年   39篇
  1995年   25篇
  1994年   25篇
  1993年   19篇
  1992年   14篇
  1991年   19篇
  1990年   12篇
  1989年   13篇
  1988年   7篇
  1987年   8篇
  1986年   1篇
  1985年   3篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   5篇
  1980年   2篇
排序方式: 共有3287条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
空口(OTA)测试已广泛应用在无线通信领域,提高测试结果的准确性是OTA测试当前急需解决的问题.文章从影响OTA测试结果准确性的因素链路增益平坦度入手,使用衰减器对测试链路进行增益削剪,分析测试了不同链路增益平坦度对被测件的EVM(误差矢量幅度)、BER(误码率)、TIS(总全向灵敏度)三项性能指标的测试误差与测试不确定度的影响.测试结果表明,增大链路增益平坦度会导致EVM、BER参数发生偏移,降低测试系统的通信质量;当系统的链路增益平坦度为1.82 dB时,测试误差与不确定度接近CTIA测试标准中规定值.最后,提出一种使用增益均衡器降低链路增益平坦度的方法,在链路增益平坦度为3.25 dB的测试系统中可将其控制在0.5dB以内.  相似文献   
2.
3.
4.
有机锗中微量无机锗与总锗含量的测定   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐永灿  李汉珠 《分析化学》1994,22(4):428-428
  相似文献   
5.
6.
描述汽车显示器架构中的外部和内部接口及整合选型方案.  相似文献   
7.
TM1300多媒体DSP的百兆以太网通信接口的设计实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要研究TM1300多媒体数字信号处理器(DSP)在pSOS嵌入式操作系统下的100 Mbit/s高速以太网接口的设计与实现.硬件方面,介绍了TM1300系统与RTL8139以太网驱动芯片通过PCI总线互连的实现方式,重点介绍了其中PCI仲裁器的设计和PCI配置空间地址的设置方法;软件方面,介绍了在DSP端内嵌的pSOS操作系统下开发软件驱动RTL8139芯片的方法,重点描述了pSOS的pNA 网络组件的NI接口、RTL8139芯片收发数据的控制方式、驱动程序的发送缓存管理、TM1300访问PCI空间的途径以及内存与数据缓存一致性等要点.最后从速率、可靠性、效率3个方面对实现的以太网通信接口进行了测试,给出了详细的实测结果.测试结果显示,与基于RTL8029芯片开发的以太网接口相比,各项性能均有较大提高.  相似文献   
8.
提出一种基于二分搜索思想的总线形局域网总线故障的快速位方法,有效地提高了总线故障的查代效率。  相似文献   
9.
美国KineticSystems公司作为PXI系统联盟(PXI Systems Alliance)与VXI总线协会(VXI Bus Consortium)的主要成员,极早就致力服务于航空、航天、电子、船舶、兵器等行业,成为全球知名的测试系统供应商。成功的与包括音公司、洛克希德.马丁公司、阿诺德等在内的著名公司长期合作。产品广泛应用于航天、航空、兵器、船舰测试等领域。  相似文献   
10.
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号