双罐式气泵供液制冷系统性能的实验研究

双罐式气泵供液制冷系统作为气泵供液的一种,运用高压气体或液体的压力输送制冷剂到蒸发器。该实验通过控制供液气压来调节再循环蒸发器的供液量,调节制冷系统中的循环倍率,在供液气压升高而导致循环倍率增大的同时,蒸发器的传热量会升高到最大值。通过技术参数的收集整理,分析比较不同工况下的制冷性能、压缩机性能和传热性能等特性,作为双罐式气泵供液制冷系统工程应用的理论依据。实验表明,不同范围的供液压头,对传热性能的主要影响因素不同,蒸发器制冷量在供液压头升高到一定值后不再增加,系统COP也将下降。     

新型等高仪转台运动控制系统设计

新型等高仪是一种具有特殊应用功能的高精度天体测量望远镜。在简要介绍新型等高仪及其转台运动控制系统的要求后,提出了仪器转台运动控制系统的总体设计方案。以可编程多轴运动控制器(PMAC)为核心,构建了仪器转台运动控制系统硬件,并开发了相关的控制软件。介绍了该仪器转台运动控制系统的主要硬件模块、系统配置、控制系统PID参数整定和调节方法、运动控制系统上位机和下位机的软件设计方法以及各功能的具体实现过程、系统测试和运行情况。     

基于NoC的容错路由算法

各种各样的软件和硬件上的错误都会破坏网络的数据传输,因此研究No C网络的容错算法是非常必要的。在基于XY路由算法的基础上提出了改进的容错路由算法,当链路或者传输节点之间发生错误时,可通过重新设置路由规则来获取一条有效的路由路径。在FPGA上进行路由容错算法的仿真,并和目前常用的几种路由算法在所适用拓扑、是否防止死锁等方面进行对比。仿真结果显示改进的路由容错算法性能优越,是可行的。     

基于ISM和AHP的冷链物流影响因素研究

以冷链物流系统为研究对象,通过专家调查法、解释结构模型法和层次分析法,研究了影响冷链物流系统的主要因素。通过Delphi专家调查法,从影响冷链物流发展的诸多因素中筛选出12个关键影响因素。应用解释结构模型法,建立1个冷链物流关键影响因素的多级递阶结构模型并进行分析。在此结构模型的基础上,利用层次分析法,构造判断矩阵,计算重要性程度,并进行一致性检验,最后求得各影响因素的综合权重,并进行排序。     

多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析

针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。     

无线传感网络中云层雷击信号准确检测仿真分析

传统传感网络雷击信号检测方法采用能量块突变检测理论进行采集,存在有限长观测缺陷,无法准确实现雷击信号的检测。提出基于循环谱理论的无线传感网络中云层雷击信号准确检测方法,依据循环谱理论,将有限长观测数据中检测雷击信号的问题看作是二元建设检验,基于雷击信号的特征,通过判断是否存在非零循环频率对雷击信号进行检测。引入检测循环频率的渐近最优检验方法,提出一种可行的循环频率判别方案,获取无线传感网络中云层雷击信号检测方案。仿真实验结果表明,所提方法可有效抑制噪声,在低信噪比下对于雷击信号具有较好的检测性能。     

电力变压器的运行与故障处理分析

电力变压器在电力网中是改变电压、传递电能的主要电气设备。变压器是电磁感应原理,由铁芯、绕组及其附件等组合而成。某一供电单位备用变压器一般不少于总台数的15%。为了防止变压器油劣化过速,上层油温不宜经常超过85℃。变压器的故障可分为绕组匝间或层间短路、绕组变形与断线、铁芯片间绝缘损坏等几种,文章对各种故障的处理方法做了详细的介绍。     

激光能量对反钙钛矿GaCMn_3薄膜结构与物性的影响

本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.