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1.
2.
构造机群系统的互连网络要求具有高带宽、低延时、高可靠及容错等特性,而实现这些特性的关键是实现网络连接的交换部件和网络适配器。文章介绍了8端口交换芯片UX8和网络适配器的设计和实现方法,交换芯片采用虫洞路由流量控制方法减少对缓存空间的需求,切入交换机制减小数据包传送延时,同步信号传送方式提高了链路上的信号传送速率,源址路由方式支持任意拓扑结构的网络,FPGA实现表明其单端口单向带宽可达到1.6Gbit/s,延迟时间为240ns。网络适配器内含Intel公司的i960VH处理器作为通信处理机,在以DMA方式工作时,测得点到点数据传送带宽可达506Mbit/s。  相似文献   
3.
研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.  相似文献   
4.
新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器   总被引:5,自引:2,他引:3  
从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。  相似文献   
5.
软件无线电关键技术最新进展   总被引:4,自引:0,他引:4  
罗序梅 《移动通信》2004,28(1):119-122
1前言 近年来软件无线电技术研究取得了一些进展,但仍面临许多技术挑战,包括高速A/D、DSP数字处理、射频前端、天线技术等问题,可以说这些技术决定着软件无线电的发展和实现.  相似文献   
6.
7.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
8.
光互连技术的研究现状及发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
祖继锋  耿完桢 《电子学报》1997,25(11):60-64
本文首先总结了光学互连的主要实现途径,然后评述了光互连的研究现状与最新发展,通过对存在的问题分析,最后给出了有关的结论。  相似文献   
9.
倒装芯片互连技术有诸多优点,但是由于其成本高,不能够用于大批量生产中,所以使其应用受到限制。而本推荐使用的有机材料的方法能够解决上述的问题。晶圆植球工艺的诞生对于降低元件封装的成本起到了重要作用,此外,采用化学镀Ni的方法实现凸点底部的金属化也是可取的方法。本主要介绍了美国ChipPAC公司近几年来针对倒装芯片互技术的高成本而开发研制出的几种新技术。  相似文献   
10.
铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张文杰  易万兵  吴瑾 《物理学报》2006,55(10):5424-5434
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向. 关键词: 电迁移 铝互连 微结构  相似文献   
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