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1.
Rossler系统延迟时间的确定 总被引:4,自引:0,他引:4
本文用等间距划分空间格子的方法,计算了互信息。这种方法较之以等概率,划分空间格子的方法易于推广应用。数值计算表明两种方法确定出同样的延迟时间,得到同样的物理图象。我们以Rossier系统为例,给出了正确重构的运动状态,并根据互信息函数的粗略周期行为,描述了重构中的粗略周期行为。 相似文献
2.
3.
为了准确检测煤样的各种元素含量、灰分和发热量等工业指标,提出利用激光诱导击穿光谱技术进行煤样的光谱强度信息采集。激光诱导击穿光谱技术作为一种新型的元素分析技术,通过高能脉冲激光聚集在样品表面,分析等离子体释放出的元素谱线信息,得出样品元素含量和组成。而光谱信息采样的延迟时间是光谱检测中一个非常重要的参数,为了研究延迟时间对煤样激光诱导击穿光谱信号强弱的影响,提出了通过连续背景强度变化和相对标准偏差计算来判定测量煤样的最佳延迟时间。本研究选取山东济南众标科技有限公司的三种标准煤样作为研究对象,实验测试使用Nd∶YAG脉冲激光器,波长为1064nm。对于煤质的检测,采用AvaSpec Dual型光纤光谱仪,光谱探测波长范围为两通道195~467nm和615~973nm。延迟时间为247~252μs对三种标准煤样ZBM100、ZBM101、ZBM104的光谱信息进行特征分析,通过光谱信号强度和连续背景强度随延迟时间变化的关系,判断出247~252μs范围内的最佳延迟时间。随着延迟时间的增加,连续背景强度快速衰减,在250μs时,连续背景强度和光谱信号强度分别衰减到延迟时间为247μs时的30和50。其次通过在不同延迟时间下相对标准偏差的计算,判断出标准煤样样本中Al、Si、Fe三种元素最佳延迟时间为247μs、248μs、249μs所对应的标准偏差达到最小值,得到因选用标准煤样对象不同其相对标准偏差对应元素的最佳延迟时间也会有所差异。研究结果表明,三种标准煤样ZBM100、ZBM101、ZBM104的光谱强度在247~252μs的最佳采样延迟时间为250μs。此实验研究结果,为激光诱导击穿光谱技术探测和分析煤质检测的最佳延迟时间提供了依据。 相似文献
4.
5.
受激发射损耗荧光显微镜利用荧光饱和和激发态荧光受激损耗的非线性关系,通过限制损耗区域,可突破远场光学显微术的衍射极限分辨力并实现三维成像。基于对粒子速率方程组的修正,建立了描述荧光团各能级粒子数概率时间特性的模型,并定义了时间平均损耗效率判据。采用高斯函数模拟两束入射激光脉冲通过对模型的数值计算,模拟了激发脉冲的SIED激光脉冲的光强、脉冲宽度以及两束光的延迟时间等参量与损耗效率之间的关系,并获得了各参量的最佳值,优化了损耗效率,为提高系统分辨力提供了有效的途径。 相似文献
6.
Stochastic Resonance in a Time-Delayed Mono-Stable System with Multiplicative and Additive Noise
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The stochastic resonance (SR) in a time-delayed mono-stable system driven by multiplicative white noise, additive white noise, additive dichotomous noise as well as a periodic square-wave signal is considered from the view of the signal-to-noise ratio (SNR). It is found that the SNR increases monotonically with the increase of the delay time. The SNR exhibits the SR behavior when it is plotted as a function of intensities of the noises, displaying the asymmetry of the dichotomous noise. The SNR varies non-monotonically with the increase of the system parameter and the amplitude of the input square-wave signal. 相似文献
7.
《电子产品世界》2006,(9X):34-35
德州仪器(TI)推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极,从而实现了高效率和低电磁卜扰(EMl),在7V至8V电压范围内时,器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器,驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平,以确保高dV/dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。 相似文献
8.
9.
本文分别建立了含有本征SiGe层的SiGe HBT(异质结双极晶体管)集电结耗尽层各区域的电势、电场分布模型,并在此基础上,建立了集电结耗尽层宽度和延迟时间模型,对该模型进行了模拟仿真,定量地分析了SiGe HBT物理、电学参数对集电结耗尽层宽度和延迟时间的影响,随着基区掺杂浓度和集电结反偏电压的提高,集电结耗尽层延迟时间也随之增大,而随着集电区掺杂浓度的提高和基区Ge组分增加,集电结耗尽层延迟时间随之减小.
关键词:
SiGe HBT
集电结耗尽层
延迟时间 相似文献
10.
本文利用常微方程系统二维重构变换的雅可比行列式,对强迫Brusselator吸引子进行了分框计算,确定出二维重构的延迟时间. 相似文献