平面阵列波导光栅波导模式参量的分析

用周期波导的方法分析平面阵列波导光栅(AWG)的本征方程及波导模式参数,结果表明波导传播常数是带状分布的,与波导间隔有关。分析结果对器件的优化设计有一定的指导意义。     

元器件与组件

高度为0.98mm的SMF二极管120多款二极管器件已采用SMF(DO219-AB)封装,该封装综合了高功率和微型尺寸(3.7 mm×1.8mm×0.98mm)的优势,高度仅为0.98mm,比同类型器件低50%,减少了空间要求,提高了电路板密度。折叠引线框专利技术提供高功率和低正向电压,可以确保最佳的功率效率和优越的冲击电流功能,在保护器件方面的优良效率可与接线封装比肩。利用低漏电硅片技术设计了这一新的节能封装。SMF(DO219-AB)也在环保型无铅(Pb)封装平台上提供了此加强功能。其回流焊温度为260℃,湿度灵敏度(MSL)为1,与现有回流焊流程后向兼容。Vishayhttp:…     

WCDMA系统接口信令消息的描述与实现

WCDMA作为第三代移动通信系统的主流标准，能够提供多种类型的多媒体服务。为了实现各种用户平面数据的传输，系统会提前通过控制平面对所需的无线资源进行分配。由于配置过程是通过接口之间发送控制平面应用协议消息来实现的，因此能否正确有效地对信令消息进行编解码成为保证系统稳定工作的关键因素。3GPP标准中，ASN．1语言被用来描述接口信令消息。首先简要介绍了WCDMA系统结构以及主要接口协议，重点描述了ASN．1存在的意义及其编解码规则，最后给出了基于ASN．1的开发环境下应用层网络协议的开发流程。     

X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术，对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明，图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处，最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较，结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。     

本地传输网优化思路

首先介绍了本地传输网所承载的业务,然后介绍了本地传输网的现状,接着概括总结了本地传输网目前存在的问题,最后提出了调整和优化思路。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

基于SIP的宽带实时多媒体通信研究与实现

介绍了会晤创建协议(SIP)，提出了基于SIP的应用系统——SRMCS，针对该实时多媒体通信系统，分析了其音频模块的实现和背景噪音的处理、视频模块的实现和视频的流畅播放，并就实时多媒体通信系统的关键问题——视、音频同步给出了可行的解决方案，最后还探讨了本系统中信令流和媒体流的传输方式。     

自动交换光网络控制平面功能结构的探讨

文章主要讨论了自动交换光网络(ASON)控制平面的两种不同结构：控制平面在网元外部的结构和控制平面部分集成在网元内部的结构，并对这两种结构进行了比较．