布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望

简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理，回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法（ＡＣＲＴ－Ｂ）研究的情况，并提出了进一步研究的问题。     

高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．     

Cs4SrI6:Eu晶体的生长和闪烁性能研究

采用垂直布里奇曼法成功生长了一种Cs4SrI6:3;Eu闪烁晶体.毛坯晶体尺寸最大为φ25×70 mm3,是目前最大的Cs4SrI6:Eu单晶.XRD结果表明,晶体具有K4-CdCl6晶体结构,属于R-3C空间群,通过紫外-可见荧光光谱和X射线激发发射光谱,研究了晶体的荧光性能.研究了在137Cs662 keV辐射下Cs4SrI6:Eu单晶的闪烁性能和衰减时间,表明该晶体具有较高的光输出和优良的能量分辨率,衰减时间约为1.86μs.通过分析Eu2+在晶体中不同部位的浓度,计算出Cs4SrI6:Eu晶体中Eu2+的分凝系数约为1.136,结果表明Cs4SrI6:Eu晶体在辐射探测中具有潜在的应用前景.     

改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响

为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.     

布里奇曼法制备KPb2Cl5单晶

在500 ℃高真空条件下,制备了KPb2Cl5原料,对原料进行了XRD分析,表明该方法能得到纯相的KPb2Cl5.利用改进的布里奇曼法进行了生长KPb2Cl5单晶的实验,得到了直径15 mm的原晶,并测试了晶体样品的基本红外透过性能.结果显示:不镀膜的情况下,3～20 μm的中红外波段,透过率约为80;,具有很好的红外光学性能.