威刚A-DATA DDR2 533内存

威刚A-DATA DDR2 533内存的标准规格为240针脚、1．8V工作电压，且依据JEDEC（美国电子工程设计发展联合协会）的标准规范，采用最先进的0．10微米制程、FBGA封装的DDR2颗粒，成功减少IC颗粒与电路板的球面接触点，并有效降低高频工作温度与资料杂讯。且大幅提高资料传输速率并透过内建的ODT内部中断电阻设计，让主机板不用在内存旁边增加一排电阻，减少PCB的使用空间。OCD讯号校正技术让电压的上升与下降有最小的DQ—DQS SKEW（时钟讯号偏离），提升讯号质量。以及提高汇流排效率的Posted CAS功能，使DDR2 533成功突破DDR的速度限制，缔造出每秒资料访问与输出量比DDR高出一倍的优异效果，真正达到每秒3．2G的极速资料传输带宽。     

宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

微胶体推进器起始工作电压的估计方法研究

提供了一种考虑到微制造工艺实际的对微胶体推进器的起始电压进行估计的方法.本方法的关键在于把基于深度干法腐蚀的微推进器的两极简化成一组双曲等势面中的两个,利用拉麦方程得到微推进器两极间静电场分布的近似解.进而分析微胶体推进器源极顶端工质液滴的静电力和表面张力的平衡,得到微胶体推进器的起始工作电压.按照工作电压的估计方程,基于ICP腐蚀,设计了4种微胶体推进器.利用悬臂梁和电涡流微位移传感器对微推进器的测试结果表明,利用该方法对微胶体推进器起始电压进行的估计和实际测试结果有很好的一致性.     

馈线能降低(极化)电压吗?——直击发烧误区

在各种卫视刊物和卫视网站上,常见有加长馈线会降低水平极化电压而改善接收机高频头工作电压之说。笔者曾在《电子     

电缆短路点检测二法

电话机外接输出线路中存在一定的直流工作电压,根据交换机不同制式其直流电压值亦不同,如采用程控交换机的直流电压约在48V,而采用机电交换机工作的直流电压为48V或60V。同时,在话机线路中还存在450Hz的话机拨号音,以及25Hz的整流信号源。所以充分利用其工作电压和信号源,对于检测话机的整机直流工作电压、话机的振铃电路、拨号与通话电路、机内一些元器件均能提供方便。 一般当电话机出现工作不正常时,常用的方法即逐一检测机内各电路的工作电压是否正常。利用电话线路检测时可配合万用表进行。首先将万用表拨至直流电压10V档位上,表笔跨接在接线盒两端(即电话线和电话机相互连接处),此时测出其直流工作电压值,然后再将万用表调至100mA电流档,并在接线盒内断开电话线和电话机的其中     

对于这些放大器来说，越低越好——由凌力尔特公司提供的高性能模拟解决方案

随着设计方法和工艺技术的改进,许多IC产品着重于拥有大的技术参数值一更大的带宽、更高的分辨率、更高的输出功率、更大的吞吐量、更多的FLOPS(每秒浮点运算次数)…等等.但是,对于精准运算放大器而言,随着性能品质的提高,其关键参数的数值却日益减小-低电源电流、低工作电压、低失调电压、低噪声、低输入偏置电流…等等.这些因数是小信号设计师最为关心的.最新的放大器采用了创新设计和工艺,旨在提供不断超越用户期望值的性能.     

富士通半导体推出宽电压双Flash MCUM B95650系列

富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出采用新工艺的宽工作电压、12bit高精度ADC、且带主从12C控制器的高性价比双FLASH通用8位微控制器MB95560系列。该系列产品包括采用SOP24、TSSOP24、QFN323种封装形式的24款产品。     

富士通半导体推出宽电压双FIash MCU MB95650系列

富士通半导体（上海）有限公刮日前宣布推出采用新工艺的宽工作电压、12bit高精度ADC、且带主从I2C控制器的高性价比双FLASH通用8位微控制器MB95560系列。该系列产品包括采用SOP24、TSSOP24、QFN32三种封装形式的24款产品。     

首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世

<正>据美国物理学家组织网今年2月2日(北京时间)报道,来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示,他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管,而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流,在极低的工作电压下,仍能保持出众的电流密度,甚至可     

用于高侧开关的短路限流及保护电路

提出了一种用于高侧开关的短路限流及保护电路。电路采用二级保护的方式,当短路检测电压不为零且低于参考电压时,限制栅源电压,对电路限流;当短路检测电压高于参考电压时,则延时一段时间后关断功率管。芯片采用0.18μm 100 V BCD工艺流片。测试结果表明,在先工作后短路和先短路后工作两种情况下,功率管均处于正常工作状态。电路工作电压范围为4～80 V,短路延时时间约200μs,输出最大可持续电流可达80 A。