全文获取类型
收费全文 | 21841篇 |
免费 | 2839篇 |
国内免费 | 1494篇 |
专业分类
化学 | 229篇 |
晶体学 | 94篇 |
力学 | 148篇 |
综合类 | 70篇 |
数学 | 62篇 |
物理学 | 3025篇 |
无线电 | 22546篇 |
出版年
2024年 | 152篇 |
2023年 | 388篇 |
2022年 | 491篇 |
2021年 | 594篇 |
2020年 | 385篇 |
2019年 | 481篇 |
2018年 | 305篇 |
2017年 | 531篇 |
2016年 | 627篇 |
2015年 | 693篇 |
2014年 | 1414篇 |
2013年 | 1169篇 |
2012年 | 1515篇 |
2011年 | 1577篇 |
2010年 | 1463篇 |
2009年 | 1644篇 |
2008年 | 1711篇 |
2007年 | 1488篇 |
2006年 | 1352篇 |
2005年 | 1406篇 |
2004年 | 1149篇 |
2003年 | 960篇 |
2002年 | 661篇 |
2001年 | 563篇 |
2000年 | 437篇 |
1999年 | 331篇 |
1998年 | 297篇 |
1997年 | 268篇 |
1996年 | 277篇 |
1995年 | 268篇 |
1994年 | 249篇 |
1993年 | 261篇 |
1992年 | 225篇 |
1991年 | 249篇 |
1990年 | 223篇 |
1989年 | 196篇 |
1988年 | 45篇 |
1987年 | 17篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 14篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 20篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 27篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 3篇 |
1976年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 32 毫秒
1.
半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。 相似文献
2.
在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。 相似文献
3.
5.
6.
7.
《固体电子学研究与进展》2015,(6)
针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。 相似文献
9.
10.
回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。 相似文献